[发明专利]钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法有效
| 申请号: | 201310034116.2 | 申请日: | 2013-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN103078013A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
| 发明(设计)人: | 郭益平;董文;刘河洲;李华;陶文燕;康红梅 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
| 代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钒酸铋 铁酸铋异质结 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤1:BiFeO3和BiVO4的前驱体溶液配制:
将Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O按Bi∶Fe摩尔比为1∶1溶解到N,N-二甲基甲酰胺中得到BiFeO3前驱体溶液(BFO前驱体溶液),
将Bi(NO3)3·5H2O和NH3VO3按Bi∶V摩尔比为1∶1溶解到N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,以柠檬酸、乙酸和乙醇胺为辅助溶剂的混合溶剂中得到BiVO4前驱体溶液(BVO前驱体溶液);
步骤2:采用化学溶液沉积法将BiFeO3前驱体溶液在玻璃基板上沉积得到厚度5~30nm的超薄BFO铁电薄膜;
步骤3:采用化学溶液沉积法将BiVO4前驱体溶液沉积在步骤2得到沉积有超薄BFO铁电薄膜的玻璃基板上,沉积厚度为150nm~200nm,即得到BVO/BFO异质结薄膜;
步骤4:通过物理溅射法在步骤3得到的BVO/BFO异质结薄膜上沉积上电极,即制备得到太阳能电池的上电极。
2.根据权利要求1所述的一种钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述的玻璃基板可以是FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述的上电极可以是Au电极、ITO电极或AZO背反射电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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