[发明专利]锗纳米管的制备方法

权利要求书

1.一种锗纳米管的制备方法，包括二次阳极氧化法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先使用二次阳极氧化法得到孔直径为80～250nm的通孔氧化铝模板，再将通孔氧化铝模板置于浓度为100～300g/L的硝酸镍水溶液中浸泡30～60min后，去除其表面的硝酸镍，得到孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板；

步骤2，先将孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板置于氢氩混合气氛中，于300～380℃下还原反应10～30min，再将其置于锗烷氢氩混合气氛中，于300～380℃下气相沉积10～30min，其中，锗烷氢氩混合气氛中的锗烷、氢气和氩气的流量比为0.5～2.5mL/min的锗烷:26.5～30.5mL/min的氢气:50～70mL/min的氩气，得到孔中置有锗纳米管的氧化铝模板；

步骤3，将孔中置有锗纳米管的氧化铝模板置于碱溶液中去除氧化铝模板，制得锗纳米管；

所述锗纳米管的管直径为80～250nm、管壁厚为15～35nm，其由锗与镍之间的原子含量之比为95.05～99.95%:0.05～4.95%的非晶态锗中扩散有镍构成。

2.根据权利要求1所述的锗纳米管的制备方法，其特征是通孔氧化铝模板的制作为，先将铝片置于浓度为0.2～0.4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液中，于直流电压为50～150V下阳极氧化8～12h，再将其于温度为50～70℃的4～8wt%磷酸和1.6～2wt%铬酸的混和溶液中浸泡8～12h，接着，将其再次于同样的工艺条件下进行第二次阳极化后，先用氯化铜或氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt%的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层，得到孔直径为80～250nm的通孔氧化铝模板。

3.根据权利要求1所述的锗纳米管的制备方法，其特征是去除通孔氧化铝模板表面的硝酸镍为，使用去离子水冲洗通孔氧化铝模板的表面，或使用砂纸摩擦通孔氧化铝模板的表面。

4.根据权利要求1所述的锗纳米管的制备方法，其特征是氢氩混合气氛中的氢气与氩气的体积比为5～15：50～70。

5.根据权利要求1所述的锗纳米管的制备方法，其特征是升温至还原反应温度的升温速率为10℃/min。

6.根据权利要求1所述的锗纳米管的制备方法，其特征是碱溶液为氢氧化钠溶液，或氢氧化钾溶液。