[发明专利]一种正负电压产生装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种正负电压产生装置。

背景技术

现有的flash存储器中存在两种电荷泵，分别为正压电荷泵和负压电荷泵。依靠正压电荷泵产生正电压，依靠负压电荷泵产生负电压。如果flash存储器需要使用正电压和负电压，需要在芯片中同时设置正压电荷泵和负压电荷泵；如果flash存储器不同时使用正电压和负电压，其中的正压电荷泵或者负压电荷泵将浪费flash存储器芯片的面积。

发明内容

本发明公开了一种正负电压产生装置，以解决背景技术中flash存储器依靠单独的正压电荷泵或负压电荷泵产生正高压或负高压造成的面积浪费的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种正负电压产生装置，包括推举电容、传输级和四相位时钟电路，所述推举电容与所述传输级连接，所述四相位时钟电路与所述推举电容连接，还包括：第一控制开关和第二控制开关；所述第一控制开关和所述第二控制开关分别连接所述传输级的两端；

所述第一控制开关包括NMOS管、PMOS管、VPOS PIN脚、GND和NVEN PIN脚；

所述第二控制开关包括NMOS管、PMOS管、VNEG PIN脚、VDD和NVEN PIN脚；

当所述第一控制开关和所述第二控制开关的NVEN PIN脚均接入数字低电平时，所述第一控制开关和所述第二控制开关的PMOS管均导通，所述第一控制开关和所述第二控制开关的NMOS管均断开，所述第二控制开关的VDD接入电荷，并由所述四相位时钟电路控制电荷传输，所述第一控制开关的VPOS PIN脚输出正高压；

当所述第一控制开关和所述第二控制开关的NVEN PIN脚均接入数字高电平时，所述第一控制开关和所述第二控制开关的PMOS管均断开，所述第一控制开关和所述第二控制开关的NMOS管均导通，所述第一控制开关的GND接地，并由所述四相位时钟电路控制电荷传输，所述第二控制开关的VNEG PIN脚输出负高压。

优选的，在所述第一控制开关中，所述NMOS管的栅极、所述PMOS管的栅极与所述NVEN PIN脚相连，所述NMOS管的源极与所述PMOS管的源极连接并接入所述传输级，所述PMOS管的漏极与所述VPOS PIN脚连接，所述NMOS管的漏极与所述GND连接。

优选的，在所述第二控制开关中，所述NMOS管的栅极、所述PMOS管的栅极与所述NVEN PIN脚相连，所述NMOS管的源极与所述PMOS管的源极连接并接入所述传输级，所述PMOS管的漏极与所述VDD连接，所述NMOS管的漏极与所述VNEG PIN脚连接。

优选的，所述四相位时钟电路的时钟具有预先设定的时序关系。

优选的，所述传输级中的一对NMOS管与对应连接的所述推举电容中的两个PMOS管组成一个MOS级。

优选的，相邻的所述两个MOS级组成一个独立单元。

优选的，所述独立单元的数量与所述第一控制开关的VPOS PIN脚输出的正电压值成正比，或者，与所述第二控制开关的VNEG PIN脚输出的负电压值成正比。

优选的，所述四相位时钟电路与所述推举电容连接，包括：

所述四相位时钟电路中具有相同时序关系的分路与同一MOS级中的推举电容连接。

优选的，所述由所述四相位时钟电路控制电荷传输，包括：

根据所述四相位时钟电路的时钟的时序关系控制电荷通过传输级，向要求的方向传输。

优选的，所述依据所述具有时序关系的电流推送或吸取电荷，包括：

当所述第一控制开关和所述第二控制开关的NVEN PIN脚均接入数字低电平时，从所述第二控制开关的VDD推送正电荷至所述第一控制开关的VPOS PIN脚；

当所述第一控制开关和所述第二控制开关的NVEN PIN脚均接入数字高电平时，从所述第一控制开关的GND推送负电荷至所述第二控制开关的VNEG PIN脚。

与背景技术相比，本发明实施例包括以下优点：

通过接入数字高电平或者数字低电平，调整两个控制开关中的PMOS管和NMOS管的导通与断开。当输入数字高电平时，两个控制开关中的PMOS管导通，NMOS管断开，并由四相位时钟电路控制接入的电荷，产生正高压并输出；当输入数字低电平时，两个控制开关中的PMOS管断开，NMOS管导通，并由四相位时钟电路控制接入的电荷，产生负高压并输出。产生正高压或负高压的过程只在一个电荷泵中完成，不需要独立的正压电荷泵和负压电荷泵，节省了flash存储器的芯片面积。