[发明专利]参考电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201310030518.5 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103092253A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 徐光磊 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 产生 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种参考电压产生电路。

背景技术

近年来,随着便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额,对低电压、低功耗的参考电压源的需求量大大增加。参考电压在电子电路或电子系统中起着至关重要的作用,稳定的参考电压一般具有两种特性,一是对温度的高稳定性;二是对电源电压变化的高抵抗力。能隙参考电压电路以其高稳定性,被广泛的应用在模拟/数字转换器、数字/模拟转换器以及电压整流器等电子系统上。

图1示出了现有的一种参考电压产生电路。参考图1,所述参考电压产生电路包括:误差放大器OPA、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、第一三极管Q11、第二三极管Q12、第三三极管Q13、电阻R11和电阻R12。各个器件的具体连接方式如图1所示,在此不再赘述。

继续参考图1,由于误差放大器OPA的钳位作用,使得VX与VY两点的电压基本相等,即VX=VY=VBE2,VBE2为所述第二三极管Q12的基极与发射极之间的电压差;同时,两边电路中的电流也相等,即IX=IY=VBE2-VBE1R1=VTlnNR1.---(a)]]>

在公式(a)中,R1指的是电阻R11的阻值,VBE1为第一三极管Q11的基极与发射极之间的电压差,由于则电流为正比于绝对温度(Proporational To Absolute Temperature,PTAT)电流,此电流经过电流镜的镜像之后成为整个芯片的偏置电流。

根据公式(a)可以得出,基准电压Vref=IXR2=R2R1VTlnN+VBE3.---(b)]]>

公式(b)中,R2指的是电阻R12的阻值,VBE3为第三三极管Q13的基极与发射极之间的电压差,由于VT为正温度系数,且VBE3为负温度系数,合理的调节系数的大小,便可以在一定温度下实现基准电压随温度的变化为零,从而为整个芯片提供一个随温度变化很小的基准参考电压。

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