[发明专利]YAG晶体的清理方法无效

专利信息
申请号: 201310030370.5 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103071656A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 万文;万黎明 申请(专利权)人: 安徽环巢光电科技有限公司
主分类号: B08B11/00 分类号: B08B11/00;B08B7/00
代理公司: 安徽汇朴律师事务所 34116 代理人: 丁瑞瑞
地址: 238000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: yag 晶体 清理 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种清理方法,尤其是YAG晶体的清理方法。

背景技术

YAG晶体是一种优秀的Nd和Yb激光被动Q 开关材料,由于它在0.8~1.2mm范围内吸收稳定,YAG基质晶体导热率高,可高重频工作晶体被动Q开关,应用广泛。

YAG晶体机械光学加工完成,要及时清洁晶体加工过程中留下的残留物。残留物在机械运动中组合形成了凝胶状,随着晶体加工时间延长慢慢积累附着在晶体侧面。晶体侧面是精磨面,相对抛光面显得很粗糙,因此残留物对晶体的附着力很大。一般选用超声波清洗或手洗,超声波清洗方便,资金成本大,固化物很难去掉,还是要用清洗剂清洗。手工清洗,工作效率低,容易造成划伤通光平面,二次污染严重,要反复再清洗。造成晶体器件残留物清洗难度主要是,凝胶状残留物的附着力,结痂后就更难去除。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种YAG晶体的清理方法,能有效去除YAG晶体表面的残留物。

本发明是通过以下技术方案来实现的。

一种YAG晶体的清理方法,步骤包括:

(1)在容器内放置漆片,酒精、白灰粉,充分搅拌,其中按照重量百分比,漆片50%-60%,酒精25%-30%、白灰粉10%-20%;

(2)将YAG晶体放入上述容器,1-2分钟取出分开晾干;

(3)反复步骤(2)3-5次,上述YAG晶体表面形成一层浊膜;

(4)将上述YAG晶体放入炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出;

(5)将上述YAG晶体用水清洗;

(6)将上述YAG晶体烘干。

进一步地,上述步骤(1)中,先在容器内放置漆片,然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后,再加入白灰粉均匀搅拌。

进一步地,上述步骤(4)中,上述炉为马弗炉。

进一步地,上述步骤(5)中,使用去离子水清洗上述YAG晶体。

进一步地,上述步骤(5)中,使用去离子水清洗后,再用清洗液进行清洗。

本发明的有益效果:

选用本发明的方法进行清洗,附着在晶体器件的有机物在高温下燃烧干净,无机物和晶体器件被有机物隔离,高温作用下自动脱离不留字迹。工艺简单,加工方便快捷,成本低,收益提高15% -20%。

具体实施方式

下面根据实施例对本发明作进一步详细说明。

实施案例1:

(1)在容器内放置漆片,酒精、白灰粉,充分搅拌,其中按照重量百分比,漆片50%,酒精30%、白灰粉20%;

具体是先在容器内放置漆片,然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后,再加入白灰粉均匀搅拌;

(2)将YAG晶体放入上述容器,1-2分钟取出分开晾干;

(3)反复步骤(2)3-5次,上述YAG晶体表面形成一层浊膜;

(4)将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出;

(5)将上述YAG晶体用水清洗,选用去离子水清洗上述YAG晶体,再用清洗液进行清洗;

(6)将上述YAG晶体烘干。

实施案例2:

(1)在容器内放置漆片,酒精、白灰粉,充分搅拌,其中按照重量百分比,漆片60%,酒精30%、白灰粉10%;

具体是先在容器内放置漆片,然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后,再加入白灰粉均匀搅拌;

(2)将YAG晶体放入上述容器,1-2分钟取出分开晾干;

(3)反复步骤(2)3-5次,上述YAG晶体表面形成一层浊膜;

(4)将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出;

(5)将上述YAG晶体用水清洗,选用去离子水清洗上述YAG晶体,再用清洗液进行清洗;

(6)将上述YAG晶体烘干。

实施案例3:

(1)在容器内放置漆片,酒精、白灰粉,充分搅拌,其中按照重量百分比,漆片55%,酒精28%、白灰粉17%;

具体是先在容器内放置漆片,然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后,再加入白灰粉均匀搅拌;

(2)将YAG晶体放入上述容器,1-2分钟取出分开晾干;

(3)反复步骤(2)3-5次,上述YAG晶体表面形成一层浊膜;

(4)将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出;

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