[发明专利]一种二极管及显示面板有效
| 申请号： | 201310024995.0 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103078061A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘至哲;王宜凡 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 显示 面板 | ||
1.一种二极管，其特征在于，包括：
阴极以及阳极，其中，所述阴极与所述阳极相对设置；
电子传输层，设置于所述阴极与所述阳极之间，所述电子传输层掺杂作为电子注入层的碱金属化合物，所述碱金属化合物包括偏硼酸锂、硅酸钾、四(8-羟基喹啉)硼锂、碱金属醋酸盐中的至少一种物质。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述碱金属醋酸盐包括醋酸锂、醋酸钠、醋酸钾、醋酸铷、醋酸铯中的至少一种物质。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述碱金属化合物还包括碱金属氧化物、碱金属卤化物中的至少一种物质。
4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述碱金属卤化物为碱金属氟化物。
5.根据权利要求1-4任一项所述的二极管，其特征在于，所述电子传输层至少掺杂两种作为电子注入层的碱金属化合物，其中至少一种作为电子注入层的碱金属化合物为偏硼酸锂或硅酸钾或四(8-羟基喹啉)硼锂或碱金属醋酸盐。
6.根据权利要求1-4任一项所述的二极管，其特征在于，当所述电子传输层掺杂一种作为电子注入层的碱金属化合物时，所述作为电子注入层的碱金属化合物的掺杂量为所述电子传输层的5wt%-50wt%；当所述电子传输层掺杂一种以上作为电子注入层的碱金属化合物时，每种所述作为电子注入层的碱金属化合物的掺杂量为所述电子传输层的1wt%-50wt%。
7.根据权利要求6所述的二极管，其特征在于，当所述电子传输层掺杂一种作为电子注入层的碱金属化合物时，所述作为电子注入层的碱金属化合物的掺杂量为所述电子传输层的15wt%-25wt%；当所述电子传输层掺杂一种以上作为电子注入层的碱金属化合物时，每种所述作为电子注入层的碱金属化合物的掺杂量为所述电子传输层的10wt%-15wt%。
8.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括发光层，设置于所述阳极与所述电子传输层之间。
9.根据权利要求8所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括空穴传输层、空穴注入层中的至少一层，设置于所述阳极与所述发光层之间。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4、8、9中任一项所述的二极管。
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