[发明专利]具有减小的线条边缘粗糙度的蚀刻特征

权利要求书

1.一种用于在层中形成具有减小的线条边缘粗化的特征的方法，其包括：

在该层上形成光刻胶层；

图案化该光刻胶层，以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征；

在该光刻胶特征侧壁上形成厚度小于100nm的侧壁层，其包括执行多个循环，其中每个循环包括在该光刻胶层上沉积层，其中该沉积层的厚度在单层到20nm之间；

通过形成的侧壁层将特征蚀刻入该层以减小线条边缘的粗糙度；以及

剥除该光刻胶层和侧壁层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该侧壁层的每个循环进一步包括回蚀该沉积层，以去除该沉积层在该光刻胶特征底部上形成的部分，而留下侧壁层。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中在该光刻胶层上沉积该层，包括执行原子层沉积、化学气相沉积、溅射沉积、等离子沉积以及等离子增强化学气相沉积中的至少一种，并利用小于120伏特的偏置电位。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，进一步包括在该光刻胶层上沉积该层过程中，加热该基片到-80°C至120°C之间的温度。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中在该侧壁上沉积该侧壁层执行3到10个循环。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，在该光刻胶层上沉积该层包括沉积聚合物、TEOS、SiO₂、Si₃N₂、SiC、Si、Al₂O₃、AlN、Cu、HfO₂、Mo、Ta、TaN、TaO₂、Ti、TiN、TiO₂、TiSiN和W中的至少一种所构成的层。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，进一步包括执行突破蚀刻，以蚀刻穿过任何剩余的沉积层。

8.根据权利要求2所述的方法，其中在该光刻胶层上沉积该层、该回蚀、该突破以及蚀刻特征均在单一等离子室内原地完成。

9.根据权利要求2所述的方法，其中该回蚀进一步去除该沉积层在该光刻胶层的顶部上的部分。

10.一种由根据权利要求1-9中任一项所述的方法形成的半导体器件。

11.一种用于在蚀刻层中形成具有减小的线条边缘粗化的特征的方法，包括：

形成图案化光刻胶层以覆盖该蚀刻层，从而形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征；

在该光刻胶特征侧壁上形成厚度小于100nm的侧壁层，其包括执行多个循环，其中每个循环包括：

在该光刻胶层上沉积层，其中该沉积层的厚度在单层到20nm之间；以及

回蚀该沉积层，以去除该沉积层形成在该光刻胶特征底部上的部分，而留下侧壁层；

通过形成的侧壁层将特征蚀刻入该蚀刻层以减小线条边缘的粗糙度；以及

剥除该光刻胶层和侧壁层，其中在该光刻胶层上沉积该层、该回蚀、该蚀刻特征以及剥除在单一等离子室内原地完成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在该光刻胶层上沉积该层，包括执行原子层沉积、化学气相沉积、溅射沉积、等离子沉积以及等离子增强化学气相沉积中的至少一种，并利用小于120伏特的偏置电位。

13.根据权利要求11-12中任一项所述的方法，进一步包括在该光刻胶层上沉积该层过程中，加热该基片至80°C到120°C之间的温度。

14.根据权利要求11-12中任一项所述的方法，其中在该侧壁上沉积该侧壁层执行3到10个循环。

15.根据权利要求11-12中任一项所述的方法，其中在该光刻胶层上沉积该层包括沉积聚合物、TEOS、SiO₂、Si₃N₂、SiC、Si、Al₂O₃、AlN、Cu、HfO₂、Mo、Ta、TaN、TaO₂、Ti、TiN、TiO₂、TiSiN以及W中的至少一种构成的层。

16.一种由根据权利要求11-15中任一项所述的方法形成的半导体器件。