[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极；

氧化物半导体膜，具有面向所述栅电极的沟道区；以及

保护膜，至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物Al_XO_Y，其中0<Y/X<3/2。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述铝低价氧化物吸收可见光。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括与所述氧化物半导体膜电连接的一对源电极和漏电极，

其中，所述保护膜从氧化物半导体膜侧开始依次包括第一保护膜和第二保护膜，并且

所述第二保护膜覆盖所述沟道区以及所述源电极和漏电极。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述铝低价氧化物包含在所述第一保护膜和所述第二保护膜中的一个中。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜具有包括低价氧化层和绝缘层的层叠结构，所述低价氧化层由铝低价氧化物制成，且所述绝缘层由除铝低价氧化物之外的材料制成。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘层含有完全氧化状态下的氧化铝Al₂O₃。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜从所述氧化物半导体膜侧开始依次包括所述低价氧化层和所述绝缘层。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜从所述氧化物半导体膜侧开始依次包括所述绝缘层和所述低价氧化层。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜包括位于一对所述绝缘层之间的所述低价氧化层。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述低价氧化层的厚度为约5nm以上。

11.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述铝低价氧化物包含在所述第一保护膜和所述第二保护膜两者中。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜的厚度为1nm以上200nm以下。

13.一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：

在栅电极上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有面向所述栅电极的沟道区；以及

形成至少覆盖所述沟道区的保护膜，所述保护膜含有吸收光的铝低价氧化物Al_XO_Y，其中0<Y/X<3/2。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述保护膜的过程中，通过改变供氧量来形成由铝低价氧化物制成的低价氧化层以及含有完全氧化状态下的氧化铝Al₂O₃的绝缘层。

15.一种显示单元，设置有多个器件以及驱动所述多个器件的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极；

氧化物半导体膜，具有面向所述栅电极的沟道区；以及

保护膜，至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物Al_XO_Y，其中0<Y/X<3/2。

16.一种具有显示单元的电子装置，所述显示单元设置有多个器件以及驱动所述多个器件的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极；

氧化物半导体膜，具有面向所述栅电极的沟道区；以及

保护膜，至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物Al_XO_Y，其中0<Y/X<3/2。

17.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极；

栅绝缘膜，设置为覆盖所述栅电极；

氧化物半导体膜，设置在所述栅绝缘膜上；

源电极和漏电极，分别由透明导电氧化物制成，并且设置在所述氧化物半导体膜上；

保护膜，由金属氧化物制成，并且设置在所述源电极和所述漏电极上；以及

遮光膜，设置在所述保护膜上，

其中，所述氧化物半导体膜和所述遮光膜之间的距离为约2nm以上、约400nm以下。