[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；

在所述源区和漏区上形成半导体外延层，所述半导体外延层表面具有棱角和凸出的尖端；

氧化所述棱角和凸出的尖端，形成氧化层；

去除所述氧化层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，氧化所述棱角和凸出的尖端的工艺为硫酸和双氧水混合溶液氧化。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水混合溶液中硫酸的体积百分比为30%~70%。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水混合溶液中硫酸的体积百分比为50%。

5.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水混合溶液的温度高于150摄氏度。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水混合溶液的温度为180摄氏度。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，氧化所述棱角和凸出的尖端的工艺为等离子体氧化。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子氧化工艺采用氧气等离子体。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺为氢氟酸溶液刻蚀。

10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液刻蚀工艺包括，

在所述氧化层表面喷涂去离子水；

通入HF气体，所述HF气体与所述去离子水形成氢氟酸溶液，刻蚀所述氧化层；

重复上述喷涂去离子水和通入HF气体的步骤，直至去除所述氧化层。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源区和漏区上形成半导体外延层前，刻蚀部分所述源区和漏区。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体外延层的材料为硅。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体外延层的材料为锗硅。

14.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体外延层的材料为碳化硅。

15.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体外延层掺杂有N型杂质。

16.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体外延层掺杂有P型杂质。

17.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，氧化所述棱角和凸出的尖端的厚度为3nm~30nm。

18.如权利要求17所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，氧化所述棱角和凸出的尖端的厚度为20nm。

19.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，所述浅沟槽隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面。

20.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在所述源区和漏区上形成半导体外延层的工艺为化学气相沉积或者分子束外延。