[发明专利]一种高电子注入效率有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于：包括玻璃基板（10），以及自下而上依次层叠在玻璃基板（10）上的阳极（9）、空穴注入层（8）、空穴传输层（7）、发光层（6）、电子传输层、电子注入层（2）以及阴极（1）；所述的电子传输层分为上电子传输层（3）和下电子传输层（5），且在上电子传输层（3）和下电子传输层（5）之间设置有栅格结构的Al膜电极层（4），所述的阴极（1）与栅格结构的Al膜电极层（4）之间并联电压U1，阳极（9）与栅格结构的Al膜电极层（4）之间并联电压U2。

2.根据权利要求书1所述的高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于：所述的栅格结构的Al膜电极层（4）为由覆膜部分（11）和镂空部分（12）组成的镂空网格结构。

3.根据权利要求书2所述的高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于：所述的栅格结构的Al膜电极层（4）的厚度为3~5nm，且覆膜部分（11）的宽度为镂空部分（12）的1/3~1/4。

4.根据权利要求书1所述的高电子注入效率有机电致发光器件，其特征在于：所述的上电子传输层（3）、下电子传输层（5）采用同种有机材料，且上电子传输层（3）的厚度为下电子传输层（5）的4~5倍。

5.一种高电子注入效率有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）首先，将干净的玻璃基板（10）烘干后放入真空室中，依次在玻璃基板（10）上蒸镀阳极（9）、空穴注入层（8）、空穴传输层（7）、发光层（6）、下电子传输层（5）；

2）然后，使用覆膜部分（11）的宽度为镂空部分（12）的1/3~1/4的镂空网格结构的栅格掩膜板向下电子传输层（5）上蒸镀厚度为3~5nm的栅格结构的Al膜电极层（4）；

3）最后向栅格结构的Al膜电极层（4）上依次蒸镀下电子传输层（3）、电子注入层（2）以及阴极（1）；在阴极（1）与栅格结构的Al膜电极层（4）之间施加电压U1，在栅格结构的Al膜电极层（4）与阳极（9）之间施加电压U2。

6.根据权利要求5所述的高电子注入效率有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述蒸镀时的真空度为10^-4Pa。