[发明专利]具有集成RX/TX可配置无源网络的收发器有效

专利信息
申请号: 201280071811.X 申请日: 2012-03-27
公开(公告)号: CN104185955A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: H.M.格达达;徐鸿涛;傅昶璁;S.S.泰勒 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/44;H04B1/62
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;姜甜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 集成 rx tx 配置 无源网络 收发
【权利要求书】:

1. 一种装置,其包括:

发射器放大器,其具有通信地耦合于传输线来向天线输出第一组射频(RF)信号的输出端子;

接收器放大器,其具有通信地耦合于所述传输线来从所述天线接收第二组RF信号的输入端子;

无源网络,其在所述发射器放大器与所述接收器放大器之间耦合,所述无源网络可配置成抵消所述发射器放大器的寄生电容的第一电抗或所述接收器放大器的寄生电容的第二电抗;以及

开关,其在所述输入端子与电压参考之间耦合以选择性地配置所述无源网络来抵消所述第一电抗或所述第二电抗。

2. 如权利要求1所述的装置,其进一步包括:

电容器,其在所述无源网络与所述输入端子之间耦合,所述电容器配置成大致上阻断所述天线与所述输入端子之间的直流(DC)信号的传播,其中所述开关耦合于所述电容器与所述输入端子之间的电压参考。

3. 如权利要求1所述的装置,其中所述输出端子在没有中间开关的情况下经由所述传输线电连接到所述无源网络的第一端子。

4. 如权利要求3所述的装置,其中所述输入端子通过电容器并且经由所述传输线电连接到所述无源网络的第二端子。

5. 如权利要求1-4中任一项所述的装置,其中所述无源网络包括电感器。

6. 如权利要求5所述的装置,其中所述发射器放大器包括功率放大器。

7. 如权利要求5所述的装置,其中所述接收器放大器包括低噪声放大器。

8. 如权利要求5所述的装置,其中所述开关在所述输入端子与所述电压参考之间耦合以选择性地配置所述无源网络来经由电谐振抵消所述第一电抗或所述第二电抗。

9. 如权利要求1-4中任一项所述的装置,其中所述电压参考包括直流(DC)参考或具有DC偏置的交流(AC)参考。

10. 一种装置,其包括:

发射器放大器,其具有输出端子并且配置成向天线输出第一组射频信号;

第一传输线,其连接到所述输出端子;

无源网络,其可配置成降低第一电容电抗或第二电容电抗,所述无源网络具有第一端子和第二端子,并且所述无源网络的第一端子连接到所述第一传输线;

第二传输线,其连接到所述无源网络的第二端子;

无源滤波器,其具有第一端子和第二端子,所述无源滤波器的第一端子连接到所述第二传输线;

第三传输线,其连接到所述无源滤波器的第二端子;

接收器放大器,其连接到所述第三传输线并且配置成从所述天线接收第二组RF信号;以及

开关,其具有第一传导端子、第二传导端子和控制端子,所述第一传导端子连接到所述第三传输线,所述开关的第二传导端子耦合于电压参考,并且所述控制端子配置成通过选择性地使所述第一传导端子电耦合于所述第二传导端子而选择性地使所述无源网络能够降低所述第一电容电抗或所述第二电容电抗。

11. 如权利要求10所述的装置,其中所述开关包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管并且所述电压参考包括接地。

12. 如权利要求10所述的装置,其中所述无源滤波器包括电容器。

13. 如权利要求12所述的装置,其中所述电容器配置为直流(DC)块,用于使所述接收器放大器与所述发射器放大器输出的第一组射频信号的DC部分隔离。

14. 如权利要求10-13中任一项所述的装置,其中所述无源网络包括至少一个电感器。

15. 如权利要求10所述的装置,其中所述第一电容电抗与所述发射器放大器关联并且所述第二电容电抗与所述接收器放大器关联。

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