[发明专利]空间光调制器的驱动方法、曝光用图案的生成方法、以及曝光方法和装置有效
申请号: | 201280071531.9 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN104170054B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 大和壮一;渡边阳司 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G02B26/08;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;金杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空间 调制器 驱动 方法 曝光 图案 生成 以及 装置 | ||
在空间光调制器的驱动方法中,在Y方向上邻接配置并沿X方向延伸的第一边界区域以及第二边界区域中,将在第一边界区域内在X方向上以不被投影光学系统析像的第一间距排列的镜元件设定为相位0,将其他的镜元件设定为相位π,将在第二边界区域内在X方向上以不被投影光学系统析像的第二间距排列的镜元件设定为相位π,将其他的镜元件设定为相位0。使用空间光调制器向物体投影图案时,能够以比空间光调制器的各光学元件的像的宽度更精细的位置精度或者形状精度形成图案。
技术领域
本发明涉及具有多个光学元件的空间光调制器的驱动方法、使用空间光调制器的曝光用图案的生成方法、使用空间光调制器曝光物体的曝光技术、以及使用该曝光技术的器件制造技术。
背景技术
在用于制造例如半导体元件或者液晶显示元件等器件(电子器件或者微器件)的光刻(Lithography)工序中,为了在晶圆或者玻璃板等基板的各照射(shot)区域上经由投影光学系统形成规定的图案,使用光刻机(stepper)等一次性曝光型的曝光装置,或者扫描光刻机等扫描曝光型的曝光装置等。
最近,提出一种所谓的无掩模方式的曝光装置,为了抑制按多个种类器件的每个、还有按基板的多个层的每层分别准备掩模而导致的制造成本的增大,并高效地制造各器件,代替掩模,使用具有各自的倾斜角可变的许多个微镜阵列的空间光调制器(spatiallight modulators:SLM),在投影光学系统的物面上生成可变的图案(例如,参照专利文献1)。此外,作为空间光调制器,为了控制入射光的相位分布,也提出一种具有能够控制各自的反射面的高度的许多个微镜阵列的类型(例如,参照非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1国际公开第2009/060745号小册子
非专利文献
非专利文献1 Yijian Chen et al.,“Design and fabrication of tilting andpiston micromirrors for maskless lithography(无掩模光刻用倾斜活塞式微镜的设计和制造),”Proc.of SPIE(美国)Vol.5751,pp.1023-1037(2005)
发明内容
在使用以往的空间光调制器在基板上形成图案的情况下,将空间光调制器的各微镜(光学元件)的像作为最小单位形成其图案。因此,例如以比微镜像的宽度更精细的位置精度来设定其图案位置是困难的,并且,形成具有微镜像的宽度的非整数倍的间距的线和空间图案(line-and-space pattern)也是困难的。
本发明的方式鉴于这样的情况,其目的在于,在使用具有多个光学元件的阵列的空间光调制器在物体上投影出(形成)图案时,能够以比光学元件的像的宽度更精细的位置精度或者形状精度形成图案。
用于解决课题的手段
根据本发明的第一方式,提供具有能够分别将光向投影光学系统引导的多个光学元件的阵列的第一空间光调制器的驱动方法。该驱动方法是,在第一方向上邻接配置并且分别在与第一方向交叉的第二方向延伸的第一区域以及第二区域中,将在该第一区域内在该第二方向上以不被该投影光学系统析像的第一间距排列的多个光学元件设定为第一状态,将该第一区域内的其他光学元件设定为与该第一状态不同的第二状态,将在该第二区域内在该第二方向上以不被该投影光学系统析像的第二间距排列的多个光学元件设定为该第二状态,将该第二区域内的其他光学元件设定为该第一状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造