[发明专利]放射线靶及其生产方法

权利要求书

1.一种放射线靶，包括支撑基板、当被电子束照射时发射放射线的靶层以及位于支撑基板和靶层之间的中间层，

其中，中间层具有1μm或更小的厚度，并且包含钛作为主要成分，并且其中，钛的至少一部分在400℃或更低显现β相。

2.根据权利要求1所述的放射线靶，其中，中间层包含β相稳定化金属作为微量成分，β相稳定化金属在被添加到纯钛时使得钛从处于仅包含α相的状态改变为处于包含β相的状态的钛的相变温度降低为小于纯钛的相变温度。

3.根据权利要求2所述的放射线靶，其中，中间层由钛和β相稳定化金属的合金构成。

4.根据权利要求2或3所述的放射线靶，其中，β相稳定化金属是选自V、Nb和Ta的至少一种金属。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的放射线靶，其中，中间层包含的β相稳定化金属的量是使得α相钛和β相钛在400℃作为共析体共存的最小β相稳定化金属含量的1.5倍或更多。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的放射线靶，其中，中间层包含3.3原子百分比或更大且50原子百分比或更小的β相稳定化金属。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的放射线靶，其中，中间层由具有在中间层的面内方向上测量的0.1μm或更小的平均晶粒大小的多晶体构成。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的放射线靶，其中，中间层具有1nm或更大的厚度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的放射线靶，其中，支撑基板用作透射从靶层发射的放射线的至少一部分的放射线透射部件。

10.一种放射线产生管，包括：外封壳；发射电子束的电子发射源，电子发射源位于外封壳内；以及在被电子束照射时发射放射线的放射线靶，其中，所述放射线靶是根据权利要求1-9中任一项所述的放射线靶。

11.一种放射线产生设备，包括：封装；设置在封装内的放射线产生管，以及驱动放射线产生管的驱动电路，其中，所述放射线产生管是根据权利要求10所述的放射线产生管。

12.一种放射线照相系统，包括：根据权利要求11所述的放射线产生设备；检测从放射线产生设备发射的并且通过被检体的放射线的放射线检测器；以及执行放射线产生设备和放射线检测器的协同控制的控制器。

13.一种用于生产放射线靶的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成第一层，第一层包含钛以及选自V、Nb和Ta的至少一种金属；

在第一层上形成包含靶金属的第二层；以及

执行β相稳定化处理，在所述β相稳定化处理中第一层被保持在600℃或更高且1600℃或更低。

14.根据权利要求13所述的用于生产放射线靶的方法，其中，β相稳定化处理包括熔体化处理和时效硬化处理中的至少一个，在所述熔体化处理中，第一层被保持在900℃或更高且1600℃或更低，在所述时效硬化处理中，第一层被保持在600℃或更高且880℃或更低。

15.根据权利要求14所述的用于生产放射线靶的方法，其中，所述熔体化处理或所述时效硬化处理在形成第二层的步骤之前执行。

16.根据权利要求14所述的用于生产放射线靶的方法，其中，所述熔体化处理或所述时效硬化处理在形成第二层的步骤中执行。

17.根据权利要求14所述的用于生产放射线靶的方法，其中，所述熔体化处理或所述时效硬化处理在形成第二层的步骤之后执行。

18.根据权利要求13至16中任一项所述的用于生产放射线靶的方法，其中，在形成第一层的步骤中，添加到基板的选自V、Nb和Ta的所述至少一种金属的量相对于添加到基板的钛的量以原子比表示为0.035或更大且1或更小。

19.一种用于生产放射线产生管的方法，所述放射线产生管包括外封壳；发射电子束的电子发射源，电子发射源位于外封壳内；以及在被电子束照射时发射放射线的放射线靶，其中，所述放射线靶是通过根据权利要求13到17中任一项所述的用于生产放射线靶的方法而生产的。

20.一种用于生产放射线产生设备的方法，所述放射线产生设备包括封装，设置在封装内的放射线产生管，以及驱动放射线产生管的驱动电路，其中，所述放射线产生管是通过根据权利要求18所述的生产方法而生产的。