[发明专利]有机场致发光元件用材料和使用其的有机场致发光元件有效
申请号: | 201280060913.1 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103988329A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 多田匡志;甲斐孝弘;浅利彻;小川淳也 | 申请(专利权)人: | 新日铁住金化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C07F19/00;C09K11/06;C07F5/02;C07F7/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机场 发光 元件 用材 使用 | ||
1.一种有机场致发光元件用材料,由通式(1)表示的碳硼烷化合物构成,
通式(1)中,环CB表示由式(a)、式(b)或式(c)中的任一个表示的-C2B10H10-的2价的碳硼烷基,在分子内存在多个环CB时可以相同也可以不同;R表示氢、取代或未取代的碳原子数1~12的脂肪族烃基、取代或未取代的碳原子数6~50的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3~50的芳香族杂环基,多个R可以相同也可以不同;A表示直接键合、氢、取代或未取代的碳原子数1~12的脂肪族烃基、Si(R)d基、取代或未取代的碳原子数6~50的芳香族烃基、取代或未取代的碳原子数3~50的芳香族杂环基,但除了p+m为1时以外不为氢,除了p+m为2时以外不为直接键合,为氢和直接键合以外的基团时,为p+m价的基团,Si(R)d基的R与上述的R意义相同,d为4-(p+m)的整数;p表示0~3的整数,m表示1~4的整数,n表示0~3的整数,p+m表示1~4的整数。
2.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用材料,由通式(2)表示的碳硼烷化合物构成,
通式(2)中,环CB、R、A与通式(1)的环CB、R、A意义相同,p表示0~3的整数,n表示0~3的整数。
3.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用材料,其中,通式(1)中,m为1,环CB为由式(b)表示的2价的碳硼烷基。
4.根据权利要求1所述的有机场致发光元件用材料,其中,通式(1)中,p为0。
5.一种有机场致发光元件,在基板上层叠阳极、有机层和阴极而成,其特征在于,在选自发光层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的至少一个层中含有权利要求1~4中任一项所述的有机场致发光元件用材料。
6.根据权利要求5所述的有机场致发光元件,其特征在于,在发光层中含有权利要求1~4中任一项所述的有机场致发光元件用材料和磷光发光掺杂剂。
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