[发明专利]用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物

权利要求书

1.一种下式的聚合物

其中

x＝0.70至0.99，y＝0.30至0.01，且其中x+y＝1，

r+s＝0.50至0.99，t+u＝0.50至0.01，且其中r+s+t+u＝1，

A为式的基团，其中

R¹和R²可相同或不同且选自氢、C₁-C₃₈烷基、C₂-C₃₈链烯基、C₃-C₃₈炔基，其各自可任选经-O-、-S-或COO间隔一次或多次；可经C₁-C₈烷基、C₁-C₈烷氧基、CF₃和/或F取代1-5次的C₇-C₁₀₀芳烷基；和可任选经C₁-C₂₅烷基、C₁-C₈烷氧基、卤素或氰基取代一次或多次的苯基；

Ar¹和Ar²彼此独立地为下式的基团：

B为式III的基团，其不同于A，

D具有Ar¹的含义，或为式的基团；

R²⁰⁴和R²⁰⁵彼此独立地为H、CN、COOR²⁰⁶或C₁-C₈烷基；

R²⁰⁶为C₁-C₁₈烷基；

E为下式的基团：

其不同于D，其中

k为1，

l为0或1，

v为0或1，

z为0或1，

a为1-5的整数，

Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶和Ar⁷彼此独立地为下式的基团：

其中X⁵和X⁶中的一个为N且另一个为CR¹⁴，

Ar²⁰为亚芳基、或亚杂芳基，其各自可任选经取代，

R¹²和R^12'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₁-C₂₅烷氧基、C₇-C₂₅芳烷基或

R¹³为C₁-C₈烷基或三(C₁-C₈烷基)甲硅烷基，

R¹⁴、R^14'、R¹⁵、R^15'、R¹⁷和R^17'彼此独立地为H或可任选经一个或多个氧原子间隔的C₁-C₂₅烷基；

R¹⁸和R^18'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基或C₁-C₂₅烷氧基；

R¹⁹为氢、C₇-C₂₅芳烷基、C₆-C₁₈芳基；经C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；或可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；R²⁰和R^20'彼此独立地为氢、C₇-C₂₅芳烷基、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，

X⁷为-O-、-S-、-NR¹¹⁵-、-Si(R¹¹⁷)(R^117')-、-C(R¹²⁰)(R^120')-、-C(＝O)-、

X⁸为-O-或-NR¹¹⁵-；

R¹⁰⁰和R^100'彼此独立地为H、F、C₁-C₁₈烷基、经O间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈烷氧基、经O间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₁-C₁₈全氟烷基、可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基、可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₂-C₂₀杂芳基；

R¹⁰¹和R^101'彼此独立地为H、F、C₁-C₁₈烷基、经O间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈烷氧基、经O间隔的C₁-C₁₈烷氧基、C₁-C₁₈全氟烷基、可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基、可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₂-C₂₀杂芳基；

R¹⁰²和R^102'彼此独立地为H、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基或C₁-C₂₅烷氧基；

R¹⁰³和R^103'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基；C₇-C₂₅芳烷基、CN或C₁-C₂₅烷氧基；或

R¹⁰³和R^103'一起形成环，

R¹¹⁵和R^115'彼此独立地为氢、C₆-C₁₈芳基；经C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；或C₇-C₂₅芳烷基，

R¹¹⁶为氢、C₇-C₂₅芳烷基、C₆-C₁₈芳基；经C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈全氟烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₂₅烷基；经-O-或-S-间隔的C₁-C₂₅烷基；或-COOR¹¹⁹；R¹¹⁹为C₁-C₃₈烷基；

R¹¹⁷和R^117'彼此独立地为C₁-C₃₅烷基、C₇-C₂₅芳烷基或苯基，其可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次，

R¹²⁰和R^120'彼此独立地为氢、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₃₈烷基；或C₇-C₂₅芳烷基，和

R¹²¹为H、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₁₈烷基、C₁-C₁₈全氟烷基、可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₆-C₂₄芳基；可任选经C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的C₂-C₂₀杂芳基；或CN。