[发明专利]光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，其为通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法；其特征在于，具有：

处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序；

所述处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序；

进而在所述第一等离子体处理工序之后且所述第二等离子体处理工序之前具有使所述处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序；

所述第一等离子体处理工序、所述调温工序及所述第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。

2.如权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，其为依次层积基板、第一光电转换体、第二光电转换体而成的光电转换装置的制造方法；

在所述第一等离子体处理工序中，层积所述第一光电转换体；

在所述第二等离子体处理工序中，层积所述第二光电转换体。

3.如权利要求2所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

所述第一光电转换体具有非晶硅类光电转换层；

所述第二光电转换体具有微晶硅类光电转换层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

所述第三温度作为摄氏温度具有所述第二温度的摄氏温度值乘以0.7～0.99而得到的值。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

使用加热所述反应室内的加热机构及/或冷却所述反应室内的冷却机构，调节所述处理温度。

6.如权利要求5所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

所述第一等离子体处理工序包括不使用所述冷却机构的时间。

7.如权利要求5或6所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二等离子体处理工序中，包括不使用所述冷却机构的时间。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在所述调温工序之后具有使所述处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序；

所述升温工序的至少一部分在所述第二等离子体处理工序期间进行。

9.如权利要求8所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

使用加热所述反应室内的加热机构及/或冷却所述反应室内的冷却机构，调节所述处理温度；

在所述升温工序中，不使用所述冷却机构。

10.如权利要求1～9中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二等离子体处理工序之前具有将所述处理温度维持在所述第二温度一定时间的保温工序。

11.如权利要求10所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

使用加热所述反应室内的加热机构及/或冷却所述反应室内的冷却机构，调节所述处理温度；

在所述保温工序中，不使用所述冷却机构。

12.如权利要求1～11中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二等离子体处理工序之后具有所述处理温度达到与所述第二温度不同的第四温度的第三等离子体处理工序；

所述第一等离子体处理工序、所述调温工序、所述第二等离子体处理工序及所述第三等离子体处理工序在同一反应室内进行。

13.如权利要求12所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

在第三等离子体处理工序中，对所述反应室内进行清洁。

14.如权利要求12或13所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

使用加热所述反应室内的加热机构及/或冷却所述反应室内的冷却机构，调节所述处理温度；

在所述第三等离子体处理工序中，使用所述冷却机构。

15.如权利要求14所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

所述第三等离子体处理工序包括不使用所述冷却机构的时间。

16.如权利要求1～15中任一项所述的光电转换装置的制造方法，其特征在于，

所述第一等离子体处理工序、所述调温工序及所述第二等离子体处理工序在同一反应室内反复进行。