[发明专利]用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件

权利要求书

1.一种制造半导体激光器器件的方法，所述方法包括：

在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括所述半导体激光器器件的发光层的外延层；

在所述生产基板的表面的局部区域上形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽，并且当从所述延伸方向观看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及

沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板是具有半极性平面的半导体基板，在所述半极性平面中，通过以大约60至90度范围内的角度将c轴向m轴倾斜后的轴的方向是法线方向。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半极性平面以通过将所述c轴向所述m轴倾斜大约75度后的轴的方向为法线方向。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，在两个侧壁表面中的一个上露出c平面，所述两个侧壁表面限定出所述切割导向槽并且形成在沿着所述切割导向槽的所述延伸方向的方向上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，所述侧壁表面中的一个在槽宽度方向上的宽度与所述侧壁表面中的另一个在所述槽宽度方向上的宽度之间的比率从1:1的比率偏移。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述切割导向槽，在所述切割导向槽中，当从所述生产基板的表面观看时，所述切割导向槽的尖端在所述延伸方向上呈V型，通过两个前端侧壁面限定出所述尖端，所述两个前端侧壁面中的一个连续地形成为所述侧壁表面中的一个，所述两个前端侧壁面中的另一个连续地形成为所述侧壁表面中的另一个，并且所述两个前端侧壁面中的一个在所述槽宽度方向上的宽度与所述两个前端侧壁面中的另一个在所述槽宽度方向上的宽度之间的比率从1:1的比率偏移。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，形成在a轴方向上延伸的所述切割导向槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过干法蚀刻形成所述切割导向槽。

9.一种半导体激光器器件，包括：

半导体基体，由六方晶系Ⅲ族氮化物半导体形成并且具有半极性平面；

外延层，包括形成激光束的光波导的发光层，并且所述外延层形成在所述半导体基体上；

形成在所述外延层上的电极；以及

在包括激光器结构的共振器端面的一个或多个拐角的局部区域中形成的斜面部分，所述激光器结构包括所述半导体基体和所述外延层，所述一个或多个拐角位于所述外延层侧，所述共振器端面正交于所述激光束的传播方向，并且所述斜面部分向所述激光器结构的表面倾斜，所述表面位于所述外延层侧。

10.一种通过方法制造的半导体激光器器件，所述方法包括：

在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括半导体激光器器件的发光层的外延层；

在所述生产基板的表面的局部区域中形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽并且当从延伸方向看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及

沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。