[发明专利]包括X射线吸收封装的闪烁体组以及包括所述闪烁体组的X射线探测器阵列

权利要求书

1.一种闪烁体组(2)，包括：

闪烁体像素(3)的阵列，其中，每个所述闪烁体像素具有顶表面(27)、底表面(31)和侧表面(29)，并且其中，所述闪烁体像素被布置为使得相邻的闪烁体像素的侧表面彼此面对；以及

X射线吸收封装(13)，其包括电绝缘的高X射线吸收材料，所述高X射线吸收材料具有大于50的原子数，

其中，所述X射线吸收封装(13)被布置为在闪烁体像素(3)的所述底表面(31)。

2.根据权利要求1所述的闪烁体组，其中，所述高X射线吸收材料包括氧化铋。

3.根据权利要求1或2之一所述的闪烁体组，其中，所述X射线吸收封装包括在20体积百分比和70体积百分比之间的所述高X射线吸收材料。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的闪烁体组，其中，所述X射线吸收封装包括所述高X射线吸收材料的颗粒，所述颗粒被包括在基质材料中。

5.根据权利要求4所述的闪烁体组，其中，90％的所述颗粒具有1和50μm之间的尺寸。

6.根据权利要求4或5所述的闪烁体组，其中，所述基质材料为环氧树脂。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的闪烁体组，其中，所述X射线吸收封装覆盖闪烁体像素中的每个的所述底表面的至少80％。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的闪烁体组，其中，相邻的闪烁体像素之间的分隔空间至少部分被填充弱X射线吸收材料。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的闪烁体组，其中，所述X射线吸收材料包括具有不同原子数的材料的混合物。

10.一种X射线探测器阵列(1)，包括：

根据权利要求1至9中的一项所述的闪烁体组(2)，

闪烁辐射探测器(9)的阵列，所述闪烁辐射探测器中的每个被布置为邻近所述闪烁体组的相关联的闪烁体像素(3)，以探测在所述闪烁体像素中生成的闪烁辐射，以及

电子电路(19)，其被电连接至所述闪烁辐射探测器的阵列，

其中，所述闪烁体组(2)的所述X射线吸收封装(13)被布置在所述闪烁体组的所述闪烁体像素(3)的阵列和所述电子电路(19)之间。

11.根据权利要求10所述的X射线探测器阵列，其中，所述电子电路包括以CMOS技术提供的集成电路。

12.根据权利要求10或11所述的X射线探测器阵列，其中，所述电子电路包括倒装芯片ASIC。

13.根据权利要求10至12中的一项所述的X射线探测器阵列，其中，所述闪烁辐射探测器中的每一个的闪烁辐射探测表面被布置为沿相关联的闪烁体像素的侧表面。

14.根据权利要求10至13中的一项所述的X射线探测器阵列，还包括插入器(17)，所述插入器被插入所述闪烁体组的所述X射线吸收封装和所述电子电路之间。

15.一种CT扫描器，包括根据权利要求10至14中的任一项所述的X射线探测器阵列。