[发明专利]采用包含氟代烃的聚合物的高保真构图

权利要求书

1.一种形成构图的结构的方法，包括：

形成叠层，所述叠层自下而上包括衬底、非碳基的硬掩膜层、包含碳基材料的软掩膜层、以及光致抗蚀剂；

对所述光致抗蚀剂进行光刻构图；以及

采用各向异性蚀刻将所述光致抗蚀剂中的图形转移到所述软掩膜层中，其中在所述软掩膜层的开口周围的侧壁上形成包含碳和氟的富碳聚合物，其中在所述富碳聚合物中碳与氟的原子比大于1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述各向异性蚀刻采用包含氟代烃的等离子体，并且所述富碳聚合物是通过所述包含氟代烃的等离子体与所述软掩膜层的相互作用而产生的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述包含氟代烃的等离子体包括C_xH_yF_z的离子，其中x是选自3、4、5和6的整数，y和z是正整数，并且y大于z。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在将所述图形转移到所述软掩膜层中之后去除所述光致抗蚀剂；以及

将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过采用另一包含氟代烃的等离子体的另一各向异性蚀刻，将所述软掩膜层中的所述图形转移到所述硬掩膜层中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过所述包含氟代烃的等离子体与所述软掩膜层的相互作用，产生接触所述硬掩膜层的侧壁的另一富碳聚合物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述另一富碳聚合物在所述软掩膜层的顶面、所述软掩膜层的侧壁以及所述硬掩膜层的所述侧壁上连续地延伸。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述另一包含氟代烃的等离子体包括C_pH_qF_r的离子，其中p是选自3、4、5和6的整数，q和r是正整数，并且q大于r。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述叠层还包括形成在所述衬底与所述硬掩膜层之间的另一硬掩膜层，并且所述方法还包括：

在对所述硬掩膜层进行构图之后去除所述软掩膜层；以及

采用另外的各向异性蚀刻将所述硬掩膜层中的图形转移到所述另一硬掩膜层中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述富碳聚合物所包含的氢的原子浓度是所述富碳聚合物中碳的所述原子浓度的至少一半。

11.一种形成构图的结构的方法，包括：

形成叠层，所述叠层自下而上包括衬底、非碳基的硬掩膜层、包含碳基材料的软掩膜层、以及光致抗蚀剂；

对所述光致抗蚀剂进行光刻构图；

通过将所述光致抗蚀剂中的图形转移到所述软掩膜层中而对所述软掩膜层进行构图，以及

采用各向异性蚀刻将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中，其中在所述软掩膜层的顶面上、所述软掩膜层的侧壁上以及所述硬掩膜层的侧壁上连续地形成包含碳和氟的富碳聚合物，其中在所述富碳聚合物中碳与氟的原子比大于1。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述各向异性蚀刻采用包含氟代烃的等离子体，并且所述富碳聚合物是通过所述包含氟代烃的等离子体与所述软掩膜层的相互作用产生的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述包含氟代烃的等离子体包括C_pH_qF_r的离子，其中p是选自3、4、5和6的整数，q和r是正整数，并且q大于r。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，通过采用另一包含氟代烃的等离子体的另一各向异性蚀刻，将所述光致抗蚀剂中的所述图形转移到所述软掩膜层中，并且所述方法还包括在将所述光致抗蚀剂中的所述图形转移到所述软掩膜层中之后去除所述光致抗蚀剂。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述另一包含氟代烃的等离子体包括C_xH_yF_z的离子，其中x是选自3、4、5和6的整数，y和z是正整数，并且y大于z。