[发明专利]弹性表面波装置有效
申请号: | 201280051904.6 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103891139A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 神藤始;冈田圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H01L41/09;H01L41/18;H03H9/145;H03H9/64 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 表面波 装置 | ||
技术领域
本发明涉及具有使用了压电体的多个弹性表面波元件的弹性表面波装置,尤其涉及作为弹性表面波而使用了声速比在压电体中传播的体波(bulk wave)更快的弹性表面波的弹性表面波装置。
背景技术
以往,弹性表面波装置被广泛用于谐振器、频带滤波器。在弹性表面波装置中,能够根据所利用的表面波的种类来构成各式各样频域的谐振器、滤波器。
在下述的专利文献1中公开了一种即便在多个弹性表面波之中也可使用泄漏型弹性表面波的弹性表面波装置。
此外,在下述的专利文献2中公开了一种使用了弹性表面波谐振器的梯型滤波器。在此,与弹性表面波谐振器串联或者并联地附加电容。并记载了:通过附加电容,能够缩窄通频带宽度。
另一方面,在下述的专利文献3中公开了一种使用了非泄漏传播型弹性边界波的弹性边界波装置。在专利文献3中,于同一压电单晶上设有多个IDT,且使一个IDT的传播方位与其他的至少一个IDT的传播方位不同。由此,可以调整频带宽度。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:WO2003/088483
专利文献2:日本特开平8-65089
专利文献3:WO2005/060094
发明内容
发明要解决的课题
即便在专利文献1所记载的使用了泄漏型弹性表面波的弹性表面波装置中,也要求调整频带宽度、谐振特性。
另一方面,在专利文献2所记载的梯型滤波器中,通过与弹性表面波谐振器串联或者并联地附加电容,由此可以调整频带宽度。然而,在这样的构成中,由于需要附加电容,因此存在弹性表面波装置趋于大型化、且成本不断变高的问题。
此外,在专利文献3中,于同一压电基板上形成了多个IDT的结构中,至少一个弹性边界波元件的传播方位与其他弹性边界波元件的传播方位不同。根据该结构,不用连接附加电容便能调整频带宽度。
然而,在专利文献1所记载的那样使用了泄漏型弹性表面波的弹性表面波装置中,存在着若使传播方位不同则传播损失变大这一问题。这是基于下述理由,即,泄漏型弹性表面波的声速比压电基板的慢横波声速更快,故泄漏型弹性表面波的能量泄漏到压电基板侧。因此,在使用了泄漏型弹性表面波的弹性表面波装置中,使多个弹性表面波元件的传播方位不同的方法中,无法获得良好的滤波器特性、谐振特性。
本发明的目的在于提供一种使用了声速比在压电体中传播的体波更快的弹性表面波的弹性表面波装置,而且即使不连接附加电容也能调整频带宽度且传播损失足够小的弹性表面波装置。
用于解决课题的手段
在本发明中,使用切割角相同的压电体而构成了多个弹性表面波元件,该弹性表面波元件使用了声速比在压电体中传播的体波更快的弹性表面波。各弹性表面波元件具有压电体、设置在压电体上的IDT电极、和限制层。限制层设置在压电体的设有IDT的一侧的相反侧且将弹性表面波限制在压电体侧。
在本发明中,多个弹性表面波元件中,至少一个弹性表面波元件中的弹性表面波的传播方位与其他的至少一个弹性表面波元件中的弹性表面波的传播方位不同。
在本发明所涉及的弹性表面波装置的某特定方面,多个弹性表面波元件构成在单一的压电体上。在该情况下,能够推进弹性表面波装置的小型化。
在本发明所涉及的弹性表面波装置的另一特定方面,所述至少一个弹性表面波元件的频带宽度与所述其他的至少一个弹性表面波元件的频带宽度不同。
在本发明所涉及的弹性表面波装置的又一特定方面,所述限制层由在该限制层中传播的体波声速比所述弹性表面波的传播速度更快的电介质构成。在该情况下,由于弹性表面波几乎不在限制层中传播,因此能够将波的能量限制在表面侧。因此,能够使传播损失实质上变为0。
作为这样的电介质,优选能够恰当采用从由氮化铝、氮化硅、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、DLC、金刚石、蓝宝石、矾土、氧化镁、硅、按照所传播的体波声速变得比所述弹性表面波的传播速度更快的方式选择切割角的钽酸锂、铌酸锂所构成的群组之中选择出的一种电介质、或者多种电介质的混合物、层叠物。
在本发明所涉及的弹性表面波装置的又一特定方面,所述弹性表面波为横波,所述IDT电极的厚度被设为所述弹性表面波的声速变得比在所述压电体中传播的慢横波的声速更快的厚度。在该情况下,由于与非泄漏型的表面波相比,声速快,因此能够增大IDT的间距,其结果能够提供有利于高频化的滤波器。
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