[发明专利]发射辐射的器件有效

专利信息
申请号: 201280051823.6 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN103891065B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 安德烈亚斯·武伊齐克;约瑟普·马里克;梅尔廷·豪沙尔特;弗兰克·默尔梅尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/042
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 丁永凡,张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发射 辐射 器件
【权利要求书】:

1.一种发射辐射的器件,具有:

-金属的载体本体(1),所述金属的载体本体包括用于电接触所述器件的至少两个连接部位(1a,1b);

-激光二极管芯片(2),所述激光二极管芯片固定在所述金属的载体本体(1)上并且与至少两个所述连接部位(1a,1b)导电地连接;

-壳体(3),所述壳体局部地包围所述金属的载体本体(1),其中

-所述壳体(3)用塑料构成,

-所述连接部位(1a,1b)分别至少局部地沿着所述壳体(3)的底面(3a)和横向于所述底面伸展的侧面(3b)延伸,并且

-所述器件能够借助于所述连接部位(1a,1b)进行表面安装,使得所述底面(3a)或所述侧面(3b)构成所述器件的安装面。

2.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件,

所述器件能够沿两个取向安装在目标位置上,其中所述底面(3a)沿第一取向构成所述器件的所述安装面并且横向于所述底面(3a)伸展的所述侧面(3b)沿第二取向构成所述器件的所述安装面。

3.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件,具有在所述壳体(3)的另一侧面(3c)上的辐射出射窗口(4),其中

-所述辐射出射窗口(4)朝向所述激光二极管芯片(2)的辐射出射面(2a),

-所述辐射出射窗口(4)至少在由所述激光二极管芯片(2)在工作时产生的辐射的辐射通道(4a)的区域中对于所述辐射是能穿透的,并且

-所述辐射出射窗口(4)至少在所述辐射通道(4a)的区域中具有有针对性地设定的平均粗糙度。

4.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件,

其中所述平均粗糙度位于由所述激光二极管芯片(2)在工作时产生的辐射的峰值波长的至少0.5至最高1.5的范围中。

5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件,

其中所述激光二极管芯片(2)的不朝向所述金属的载体本体(1)的区域邻接于空气或其他的气体。

6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件,

其中所述金属的载体本体(1)局部地嵌入到所述壳体(3)中。

7.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件,

其中在所述壳体的所述底面(3a)和所述侧面(3b)上分别构成有至少一个配合销(9)。

8.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件,

其中所述至少一个配合销(9)设为用于在安装所述器件时进行调整。

9.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的器件,具有:

-用于开关所述激光二极管芯片(2)的晶体管(5),和

-用于对所述激光二极管芯片供电的至少两个电容器(6)的并联电路,其中

-所述晶体管(5)和所述电容器(6)固定在所述金属的载体(1)上并且与至少两个所述连接部位(1a,1b)导电地连接,并且

-所述器件适合于产生激光脉冲。

10.根据上一项权利要求所述的发射辐射的器件,

其中所述晶体管(5)经由至少两个接触金属线(7)与所述激光二极管芯片导电地连接。

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