[发明专利]热电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种热电转换元件，其是在基板上层积热电转换层而成的，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换层含有无机氧化物半导体或熔点为300℃以上的元素作为主要成分且具有空隙结构。

2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述无机氧化物半导体含有铟。

3.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述无机氧化物半导体为选自由n₂O₃、SnO₂、ZnO、SrTiO₃、WO₃、MoO₃、In₂O₃-SnO₂、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、In₂O₃-ZnO和镓掺杂In₂O₃-ZnO组成的组中的物质。

4.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换层含有熔点为330℃以上的元素作为主要成分。

5.如权利要求1或4所述的热电转换元件，其中，所述热电转换层含有选自由Zn₄Sb₃、CoSb₃、MnSi₁.₇₅、Mg₂Si、SiGe和FeSi₂组成的组中的合金作为主要成分。

6.如权利要求1～5中任一项所述的热电转换元件，其中，所述多孔质阳极氧化皮膜的开口率满足下述数学式(I)，

数学式(I)开口率=φ/P>0.5

式中，φ表示平均孔径，P表示平均孔间隔。

7.如权利要求1～6中任一项所述的热电转换元件，其中，所述多孔质阳极氧化皮膜的孔的平均孔径为60nm以上。

8.一种热电转换元件的制造方法，所述制造方法包括以下工序：在基板上将热电转换材料成膜而形成热电转换层，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换材料含有无机氧化物半导体或熔点为300℃以上的元素作为主要成分。

9.如权利要求8所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述制造方法包括以下工序：在基板上将热电转换材料成膜而形成热电转换层，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换材料含有熔点为300℃以上的元素作为主要成分；以及对该热电转换层进行退火处理。

10.如权利要求8所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述制造方法包括以下工序：在基板上在基板温度为150℃以上的条件下将热电转换材料成膜而形成热电转换层，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换材料含有熔点为300℃以上的元素作为主要成分。

11.如权利要求8～10中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述制造方法包括以下工序：用草酸对铝板进行阳极氧化，得到具有所述多孔质阳极氧化皮膜的基板。

12.如权利要求8～11中任一项所述的热电转换元件的制造方法，其中，所述成膜通过气相蒸镀法进行。