[发明专利]等离子体发生器、用于等离子体发生器的旋转电极的制造方法、执行基板的等离子体处理的方法、以及采用等离子体形成具有混合结构的薄膜的方法

权利要求书

1.一种等离子体发生器，包括：

板状下电极，用于设置基板；以及

圆柱旋转电极，位于该板状下电极之上，

其中该圆柱旋转电极包括：

导电主体，连接到电源且包括在该导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；以及

绝缘屏蔽层，设置在该主体的该外圆周表面上且暴露该多个毛细管单元的下表面。

2.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该屏蔽层暴露该多个毛细管单元的下表面且屏蔽其它部分。

3.如权利要求3所述的等离子体发生器，还包括：

在该毛细管单元的下表面上的导电层。

4.如权利要求3所述的等离子体发生器，

其中该导电层包括具有高于该下表面的二次电子发射系数的金属、合金、导电陶瓷、导电碳体和导电聚合物中的至少一种。

5.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该多个毛细管单元线性排列。

6.如权利要求5所述的等离子体发生器，

该多个毛细管单元沿着该主体的旋转轴的方向延伸。

7.如权利要求5所述的等离子体发生器，

其中该多个毛细管单元以固定间隔规则排列。

8.如权利要求1所述的等离子体发生器，还包括：

腔室，在该腔室中设置该板状下电极和该圆柱旋转电极，

其中该腔室包括反应气体进口和反应气体出口。

9.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中在该圆柱旋转电极和该板状下电极之间产生等离子体，并且

其中通过控制该圆柱旋转电极的转数和该毛细管单元的数量实现等离子体放电的启动/关闭控制。

10.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该主体包括导电金属、导电陶瓷、导电碳体和导电聚合物中的至少一种。

11.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该屏蔽层包括氧化铝（Al₂O₃）、碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）、石英（SiO₂）、氧化镁（MgO）和聚四氟乙烯（PTFE）中的至少一种。

12.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该毛细管单元的宽度范围为100μm至10mm，并且该毛细管单元的高宽比范围为1至200。

13.如权利要求1所述的等离子体发生器，

其中该屏蔽层的厚度范围为10μm至10mm。

14.一种执行基板等离子处理的方法，包括如下步骤：

在板状下电极上设置基板；

将反应气体注入到该基板上；以及

通过在该板状下电极和圆柱旋转电极之间产生等离子体而引起反应气体的化学反应，

其中该圆柱旋转电极包括导电主体和屏蔽层，该导电主体的外圆周表面上具有多个毛细管单元，该屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成且暴露该多个毛细管单元的下表面且屏蔽其它部分，并且

其中该等离子体产生在该圆柱旋转电极的该毛细管单元的下表面和该板状电极上的该基板之间。

15.一种用于等离子体发生器的旋转电极的制造方法，该方法包括如下步骤：

提供包括多个毛细管单元的导电主体；以及

在该主体的外圆周表面上形成绝缘屏蔽层以暴露该多个毛细管单元的下表面的至少部分。

16.如权利要求15所述的方法，

其中形成绝缘屏蔽层的步骤包括如下步骤：

形成电介质层以覆盖该主体的外圆周表面；以及

在该多个毛细管单元的下表面的至少部分上选择性地去除该电介质层。

17.如权利要求16所述的方法，

其中通过阳极氧化法或薄膜沉积法执行形成电介质层的步骤。

18.如权利要求16所述的方法，

其中该导电主体由包括铝的导电材料制造，并且

其中形成电介质层的步骤包括通过阳极氧化法或薄膜沉积法在该导电主体上形成氧化铝层的步骤。