[发明专利]用于聚合物基底上柔性光电装置的多层薄膜后接触系统

权利要求书

1.用于光电元件的聚合物基底和背接触结构，包括：

聚合物基底，具有装置侧以及与所述装置侧相对的背侧，其中，所述光电元件可位于所述装置侧；

电介质层，在所述聚合物基底的所述背侧形成；以及

金属结构，在所述聚合物基底的所述装置侧形成。

2.如权利要求1所述的结构，其中，所述光电元件包括CIGS结构。

3.如权利要求1所述的结构，其中，所述电介质包括SiO₂、Al₂O₃和硅树脂中的至少一种。

4.如权利要求3所述的结构，还包括设置在所述聚合物基底的所述背侧与所述电介质层之间的薄黏附层。

5.如权利要求4所述的结构，其中，所述黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。

6.如权利要求1所述的结构，其中，所述金属结构包括第一金属层，所述第一金属层包括铝、黄铜、青铜和铜中的至少一种。

7.如权利要求6所述的结构，其中，所述金属结构还包括在所述第一金属层之上形成的钼层。

8.如权利要求6所述的结构，其中，所述金属结构还包括设置在所述聚合物基底的所述装置侧与所述第一金属层之间的薄黏附层。

9.如权利要求8所述的结构，其中，所述薄黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。

10.如权利要求1所述的结构，其中，所述金属结构还包括与所述聚合物层的所述装置侧相接触的薄黏附层。

11.如权利要求10所述的结构，其中，所述薄黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。

12.一种光电元件，其包括：

CIGS光电结构；

聚合物基底，具有装置侧以及与所述装置侧相对的背侧，其中，所述CIGS光电结构可位于所述装置侧；

电介质层，在所述聚合物基底的所述背侧形成；以及

金属结构，在所述聚合物基底的所述装置侧形成，位于所述聚合物基底与所述CIGS光电结构之间。

13.如权利要求12所述的光电元件，其中，所述电介质包括SiO₂、Al₂O₃和硅树脂中的至少一种。

14.如权利要求12所述的光电元件，其中，所述电介质包括由铝和硅中的一个形成的氮氧化物。

15.如权利要求12所述的光电元件，还包括设置在所述聚合物基底的所述背侧与所述电介质层之间的薄黏附层。

16.如权利要求15所述的光电元件，其中，所述薄黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。

17.如权利要求12所述的光电元件，其中，所述金属结构包括第一金属层，所述第一金属层包括铝、黄铜、青铜和铜中的至少一种。

18.如权利要求17所述的光电元件，其中，所述金属结构还包括在所述第一金属层之上形成的钼层。

19.如权利要求17所述的光电元件，其中，所述金属结构还包括设置在所述聚合物基底的所述装置侧与所述第一金属层之间的薄黏附层。

20.如权利要求19所述的光电元件，其中，所述薄黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。

21.如权利要求12所述的光电元件，其中，所述金属结构还包括与所述聚合物层的所述装置侧相接触的薄黏附层。

22.如权利要求21所述的光电元件，其中，所述薄黏附层包括钼、铝、铬、钛、氮化钛（TiN）、金属氧化物和金属氮化物中的至少一种。