[发明专利]干涉式调制器的机械层及其制造方法

权利要求书

1.一种机电系统装置，其包括：

衬底；及

可移动层，其定位于所述衬底上方，所述可移动层与所述衬底间隔且界定所述可移动层与所述衬底之间的间隙的一侧，其中所述可移动层可在所述间隙中在致动位置与松弛位置之间移动，

其中所述可移动层包含镜面层、罩盖层及安置在所述镜面层与所述罩盖层之间的电介质层，所述镜面层面对所述间隙，及

其中所述可移动层经配置以当所述可移动层处于所述松弛位置中时具有远离所述衬底的方向上的曲率。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜面层及所述罩盖层各具有拉伸应力，所述镜面层的所述拉伸应力大于所述罩盖层的所述拉伸应力。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜面层的厚度尺寸大于所述罩盖层的厚度尺寸。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述镜面层厚度尺寸比所述罩盖层厚度尺寸大约1.0倍到约1.2倍之间。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述镜面层厚度尺寸比所述罩盖层厚度尺寸大约到约

6.根据权利要求3所述的装置，其中所述镜面层厚度尺寸介于约与约之间，且所述罩盖层厚度尺寸介于约与约之间。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述可移动层经配置使得当所述可移动层处于所述松弛位置中时所述可移动层在所述装置的像素的中心上方的一部分从所述衬底位移比所述像素的光学作用区域上方所述可移动层与所述衬底之间的平均距离大约10nm到约30nm。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜面层及所述罩盖层由实质上相同材料形成。

9.根据权利要求1所述的装置，其中反射层及所述罩盖层中的至少一者包含铝铜(AlCu)。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述电介质层包含氮氧化硅(SiON)及二氧化硅(SiO₂)中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述罩盖层具有拉伸应力且包含用于减小所述罩盖层的所述拉伸应力使得所述可移动层在远离所述衬底的方向上弯曲的切口。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜面层具有压缩应力且包含用于减小所述镜面层的所述压缩应力的量值使得所述可移动层在远离所述衬底的方向上弯曲的切口。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述可移动层在所述装置的光学作用区域上方的最小间隙高度与最大间隙高度之间的差在约30nm到约100nm的范围中。

14.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括定位于所述衬底与所述间隙之间的固定电极。

15.根据权利要求14所述的装置，其进一步包括经配置以跨所述固定电极及所述可移动层施加偏压电压的偏压电路。

16.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜面层及所述罩盖层各具有压缩应力，所述镜面层的所述压缩应力的量值小于所述罩盖层的所述压缩应力的量值。

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述电介质层包含第一电介质子层及安置在所述第一电介质子层上方的第二电介质子层，其中所述第一电介质子层具有大于所述第二电介质子层的应力的应力，使得所述可移动层具有朝向所述衬底增加的应力梯度。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述第一电介质子层具有比所述第二电介质子层的应力大约+10MPa到约+200MPa的应力。

19.根据权利要求17所述的装置，其中所述第一电介质子层的厚度在约到约的范围中，且其中所述第二电介质子层的厚度在约到约的范围中。

20.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

显示器，其包含所述机电系统装置中的一者或一者以上；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及

存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

21.根据权利要求20所述的装置，其进一步包括：

驱动器电路，其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器；及

控制器，其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。