[发明专利]偏振膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280042812.1 申请日: 2012-09-12
公开(公告)号: CN103765259A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 矢仙姆尼里汀;尾込大介;济木雄二 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/1335
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 偏振 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及偏振膜的制造方法。此外,本发明涉及使用了该偏振膜的偏振板。所述偏振膜、偏振板可以单独、或者以层叠有其的光学膜的形式来形成液晶显示装置、有机EL显示装置等平板显示器等图像显示装置。

背景技术

以往,作为液晶显示装置等所使用的偏振膜,正广泛使用将聚乙烯醇系膜用碘、二色性染料等染色、并进行单轴拉伸而形成的吸收二色性偏振膜。此外,就所述偏振膜而言,在其两侧或单侧粘贴进行了皂化处理的三乙酰纤维素等的透明保护膜,从而作为增强了强度的偏振板来使用。

尤其是,近年来伴随着液晶显示装置的大型化、用途的多样性、功能的提高、及亮度的提高,要求提高液晶显示装置所使用的偏振板的光学特性,谋求开发高透射率且高偏振度、即高对比度的偏振板。

例如,在专利文献1中,为了提高偏振性能,提出了含有下述方案的偏振膜的制造方法,即,利用溶胀水使聚乙烯醇膜溶胀后,利用高湿低热热风进行加热、加湿,接着利用二色性染料的染料液进行染色,在拉伸液中进行了弱拉伸后,进行强拉伸的方案。

但是,通过上述制造方法得到的偏振膜也无法满足对比度,此外,存在在短波长区域容易产生漏光的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2007-199509号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供高对比度、且能够防止短波长区域中的漏光的产生的偏振特性优异的偏振膜的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明人们为了解决上述课题而进行了深入的研究,结果发现通过以下所示的偏振膜的制造方法可以实现上述目的,从而完成本发明。

即,本发明涉及一种偏振膜的制造方法,其对聚乙烯醇系膜至少实施溶胀处理、染色处理、交联处理、拉伸处理及洗涤处理,其特征在于,

在所述染色处理后的至少一个处理中,以满足下式(1)的方式使处理液含有水溶性抗氧化剂。

0.0005≤A×B≤0.03  (1)

〔上式中,A为处理浴中的水溶性抗氧化剂的浓度(mol/L),B为将碘还原为碘离子的水溶性抗氧化剂的还原力。〕

利用碘和聚乙烯醇(PVA)分子的非晶部形成I3-络合物和I5-络合物,将形成有该络合物的区域拉伸并使其进行取向,由此可表现出偏振膜的光学特性。

通常,通过偏振膜中的碘络合物吸收可见光区域的光来显示出偏振特性。作为抑制偏振膜的漏光的方法,可以考虑增加偏振膜中的碘络合物的量。但是,如果为了增加碘络合物的量而使用高浓度的染色浴对PVA膜进行处理,则在PVA分子中伴随着碘络合物的增加、未形成络合物的碘过量地存在,因此,结果存在偏振膜的光透射率降低的倾向。

本发明人发现:如上所述,在交联处理后的至少一个处理中,通过以满足式(1)的方式使处理液中含有水溶性抗氧化剂,可以将PVA分子中过量吸附的碘选择性地除去。其结果是,可以得到高对比度的偏振膜。此外,通过水溶性抗氧化剂的还原效果,PVA分子中过量吸附的碘被还原为碘离子(I-),用于形成I3-络合物及I5-络合物的碘离子增加,因此,结果是I3-络合物及I5-络合物增加,从而可以抑制偏振膜的短波长区域中的漏光。

上式(1)的“A×B”为表示将碘还原为碘离子(I-)的还原能力的指标。在A×B小于0.0005的情况下,无法将PVA分子中过量吸附的碘充分除去,因此无法提高偏振膜的对比度。另一方面,在A×B超过0.03的情况下,将破坏PVA膜中的碘络合物从而无法确保偏振特性,形成PVA膜脱色的状态,因此将无法获得作为偏振膜的光学特性。

优选所述水溶性抗氧化剂为选自抗坏血酸、异抗坏血酸钠、硫代硫酸盐、及亚硫酸盐中的至少一种。

通过所述制造方法得到的偏振膜具有下述特征:高对比度、且在短波长区域内不易产生漏光。

此外,本发明涉及在所述偏振膜的至少一个面层叠有透明保护膜的偏振板。

此外,本发明涉及层叠有至少1片所述偏振膜或所述偏振板的光学膜。

而且,本发明涉及包含所述光学膜的图像显示装置。

发明效果

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