[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具备具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，液晶显示装置和有机EL显示装置等薄型的显示装置的开发得到迅速推进。为了提高显示品质，这些薄型的显示装置大多具有有源矩阵基板，该有源矩阵基板上按多个像素的每个像素配置有用于对该像素进行驱动的薄膜晶体管（以下也称为TFT）。

显示装置具有：上述有源矩阵基板；和与该有源矩阵基板相对配置并且隔着框状的密封部件与该有源矩阵基板贴合的相对基板。在显示装置中，在密封部件的内侧形成有显示区域，在该显示区域的周围外侧形成有非显示区域。

在显示区域的像素形成的TFT，适合使用利用准分子激光熔融结晶的低温多晶硅（以下也称为LTPS）。有源层中使用LTPS的TFT，具有阈值电压低能够高速驱动的优点，例如在便携式电话、智能手机和平板型终端等的高清晰显示器中广泛地使用。另一方面，也尝试了利用IGZO（In-Ga-Zn-O）等氧化物半导体形成TFT的半导体层。当利用这样的氧化物半导体形成TFT时，能够使该TFT的断开漏泄电流大幅减小。

另外，近年来，在有源矩阵基板的非显示区域中，在构成该有源矩阵基板的玻璃基板上直接形成驱动电路而集成化的开发也已在进行中。例如，专利文献1中公开了：在具备在显示区域的玻璃基板上形成的像素驱动用TFT和在非显示区域的玻璃基板上形成的驱动电路用TFT的显示装置中，利用氧化物半导体形成像素驱动用TFT的有源层，利用低温多晶硅形成驱动电路用TFT的有源层。

上述专利文献1中的像素驱动用TFT中，在绝缘膜的表面形成有氧化物半导体层，在氧化物半导体层的表面形成有蚀刻阻挡层。以覆盖蚀刻阻挡层的一部分和氧化物半导体层的一部分的方式形成有源极电极和漏极电极。因此，在形成该像素驱动用TFT的情况下，通过对覆盖氧化物半导体层和蚀刻阻挡层的金属材料层进行蚀刻，使蚀刻阻挡层露出，由剩下的金属材料层形成源极电极和漏极电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-003910号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在上述专利文献1的显示装置中，虽然利用低温多晶硅形成驱动电路用TFT的有源层，并利用氧化物半导体形成像素驱动用TFT的有源层，但是需要用于形成蚀刻阻挡层的掩模，因此，显示装置的制造所需要的掩模个数增加，结果，存在制造成本上升的问题。

另一方面，当假设不设置蚀刻阻挡层时，在形成源极电极和漏极电极时，无法避免氧化物半导体层因蚀刻而大大损伤，因此，难以提高TFT的电特性。

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，对于在基板上形成有有源层由氧化物半导体形成的像素驱动用TFT和有源层由非氧化物半导体形成的驱动电路用TFT的显示装置，在降低其制造成本的同时，尽可能提高TFT的电特性。

用于解决技术问题的手段

为了实现上述目的，本发明的显示装置具备电路基板、像素驱动用TFT和驱动电路用TFT，其中，上述电路基板具有：形成有多个像素的显示区域；和设置在该显示区域的周围外侧的非显示区域，上述像素驱动用TFT形成在上述电路基板的显示区域中，用于驱动上述像素，具有：在绝缘膜上相互分隔地配置的源极电极和漏极电极；和由氧化物半导体形成的第一有源层，该第一有源层设置成从与上述绝缘膜相反的一侧覆盖该源极电极与漏极电极之间的分隔部和与该分隔部相邻的上述源极电极的一部分和上述漏极电极的一部分，上述驱动电路用TFT形成在上述电路基板的非显示区域中，具有由非氧化物半导体形成的第二有源层，用于驱动上述像素驱动用TFT。

另外，本发明的显示装置的制造方法是制造显示装置的方法，该显示装置具备电路基板，该电路基板具有形成有多个像素的显示区域和设置在该显示区域的周围外侧的非显示区域，上述显示装置的制造方法的特征在于，具备：在上述电路基板的成为显示区域的区域形成绝缘膜的工序；在上述绝缘膜上以相互分隔的状态形成构成用于驱动上述像素的像素驱动用TFT的源极电极和漏极电极的工序；以从与上述绝缘膜相反的一侧覆盖上述源极电极与上述漏极电极之间的分隔部和与该分隔部相邻的上述源极电极的一部分和上述漏极电极的一部分的方式，形成构成上述像素驱动用TFT并且由氧化物半导体形成的第一有源层的工序；和在上述电路基板的成为非显示区域的区域，形成构成用于驱动上述像素驱动用TFT的驱动电路用TFT并且由非氧化物半导体形成的第二有源层的工序。

发明效果