[发明专利]用于光电应用的沉积方法

权利要求书

1.一种在衬底上制造薄膜太阳能电池的方法，其包括：

(a)提供涂布有电接触层的衬底；

(b)在所述衬底的所述接触层上沉积第一油墨的第一层，其中所述第一油墨包含在量上富含第11族原子的第一聚合前体化合物；

(c)加热所述第一层；

(d)在所述第一层上沉积第二油墨的第二层，其中所述第二油墨包含一种或多种具有式M^B(ER)₃的化合物，其中M^B是In、Ga或Al，E是S或Se，且R选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基以及无机和有机基团；和

(e)加热上述层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或第二油墨包含In(SeR)₃，其中R是烷基或芳基；或Ga(SeR)₃，其中R是烷基或芳基；或其混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或第二油墨包含In(SeⁿBu)₃，或Ga(SeⁿBu)₃，或其混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合前体化合物是一种或多种CIGS聚合前体化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层富含Cu，使Cu与第13族原子之比为1至4之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层富含Cu，使Cu与第13族原子之比为1.5、2.0、2.5、3.0或3.5。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二油墨中的In与Ga之比由式In_1-xGa_x给出，其中x为0.01至1。

8.根据权利要求1所述的方法，其中每个加热工序是包括在100℃至450℃的温度范围转化所述层的工序。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括添加Cu(ER)或含铜化合物至所述第一油墨或第二油墨，其中E是S或Se，且R选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基以及无机和有机基团。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括添加在量上缺乏第11族原子的聚合前体化合物至所述第一油墨或第二油墨。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括任选地在Se蒸气的存在下，将所述层在450℃至650℃的温度下退火。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在退火后沉积包含In(S^sBu)₃的油墨。

13.根据权利要求11所述的方法，其中退火后所述层的厚度为500至5,000纳米。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在加热之前或之后，步骤(b)的一个层的厚度或步骤(d)的一个层的厚度为10至2000纳米，或100至1000纳米，或200至500纳米，或250至350纳米。

15.根据权利要求1所述的方法，其中对于任何步骤，每次的厚度为75nm至150nm。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或第二油墨包含0.01至2.0原子%的钠离子。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一油墨或第二油墨包含M^alkM^B(ER)₄或M^alk(ER)，其中M^alk为Li、Na或K，M^B为In、Ga或Al，E为S或Se，且R为烷基或芳基。