[发明专利]用于存储设备的用低预留空间实现低写入放大的方法有效

专利信息
申请号: 201280024279.6 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN103562842B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: L·阮;P·尼奥斯;L·汤-萨特 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储 设备 预留 空间 实现 写入 放大 方法
【权利要求书】:

1.一种固态硬盘SSD,包括:

SSD控制模块,被配置为确定与关联于所述SSD的相应的逻辑地址中所存储的数据多长时间被更新一次所对应的频率并且根据所述频率形成所述逻辑地址的群组,其中形成所述群组包括:

生成所述逻辑地址的最近最少使用LRU列表,其中所述LRU列表指示所述逻辑地址中的每个逻辑地址中所存储的所述数据多长时间被更新一次,

根据相应的更新频率,将所述逻辑地址的不同范围排列到多个区域中,使得所述多个区域中的每个区域包括具有相应的更新频率的所述逻辑地址的不同范围并且所述多个区域中的每个区域包括所述逻辑地址中的至少一个,其中所述相应的更新频率中的每个对应于在所述逻辑地址的所述不同范围中的相应范围中的所述数据多长时间被更新一次,以及

基于所述LRU列表生成包括所述多个区域的区域列表;以及

存储器控制模块,被配置为基于所述群组将所述数据重新写入至SSD存储区的区块中的物理地址,其中为了重新写入所述数据,所述存储器控制模块还被配置为使用所述区域列表,

将与第一区域相关联的第一逻辑地址中的第一数据从所述SSD存储区的第一区块重新写入到所述SSD存储区的第二区块,

将与所述第一区域相关联的第二逻辑地址中的第二数据从所述SSD存储区的第三区块重新写入到所述SSD存储区的所述第二区块,以及

将与第二区域相关联的第三逻辑地址中的第三数据从所述SSD存储区的所述第一区块重新写入到所述SSD存储区的第四区块。

2.根据权利要求1所述的SSD,其中所述SSD控制模块包括:

LRU模块,被配置为生成所述LRU列表;以及

区域控制模块,被配置为生成所述区域列表。

3.根据权利要求1所述的SSD,其中所述逻辑地址包括逻辑区块地址LBA。

4.根据权利要求1所述的SSD,其中所述SSD存储区包括闪存阵列。

5.根据权利要求1所述的SSD,其中所述SSD控制模块包括被配置为执行固件的处理器。

6.根据权利要求1所述的SSD,其中所述LRU列表和所述区域列表在易失性存储器和非易失性存储器中的至少一个之中存储。

7.根据权利要求1所述的SSD,其中:

与所述SSD相关联的物理地址的第一数目大于所述逻辑地址的第二数目;以及

所述第一数目和所述第二数目之差与所述第二数目之比小于5%。

8.根据权利要求7所述的SSD,其中与所述SSD相关联的写入放大大约是1.1。

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