[发明专利]导电性抗反射薄膜无效

专利信息
申请号: 201280022101.8 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN103502503A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: G·J·哈伯德;K·P·帕森斯;T·N·怀特 申请(专利权)人: 麦克德米德影印有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;G02B1/11;H01L31/0236
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 导电性 反射 薄膜
【权利要求书】:

1.一种对具有纹理的高分子基板施加透明导电性薄膜的方法,此方法包含如下步骤:

a)提供内部配置有纹理的高分子材料;以及

b)将透明导电性材料同形地施加于该高分子材料,以在其上产生同形的透明导电性薄膜;

其中该同形的透明导电性薄膜所具有的纹理与该高分子材料的纹理相对应,并且其中该纹理具有不大于可见光波长的周期,因此该同形的透明导电性薄膜是抗反射的。

2.如权利要求1所述的方法,其中通过包括如下步骤的方法将该高分子材料模制以在其内产生纹理:

a)提供具有多个孔分散于其中的多孔性氧化铝模坯,所述多个孔对应于待被赋予高分子模制材料表面的凸起;

b)将高分子模制材料置放于透明薄膜和该多孔性氧化铝模坯之间;以及

c)施加机械压力,将该多孔氧化铝模坯轧压至该高分子模制材料中,

其中被赋予该高分子模制材料的纹理包括与该多孔氧化铝模坯的孔相对应的凸起。

3.如权利要求1所述的方法,其中该多孔性氧化铝模坯通过包含以下步骤的制程来制备:

a)在铝基板上进行第一阶段阳极化处理;

b)对该氧化铝基板实行氧化物蚀刻;

c)进行第二阶段阳极化处理;以及

d)进行扩孔处理,

其中在该多孔性氧化铝模坯中制造出孔。

4.如上述任意权利要求所述的方法,其中该透明导电性材料是从由氧化铟、氧化铟锡、经掺杂的氧化铟、氧化锡、经掺杂的氧化锡、氧化锌、掺铝氧化锌、经掺杂的氧化锌、氧化钌和经掺杂的氧化钌所构成的群组中选出的。

5.如权利要求4所述的方法,其中该透明导电性材料为氧化铟锡。

6.如上述任意权利要求所述的方法,其中该透明导电性材料是通过物理气相沉积而施加于高分子材料的。

7.如权利要求6所述的方法,其中该透明导电性材料是通过溅镀而施加于高分子材料的。

8.如上述任意权利要求所述的方法,其中该透明导电性薄膜的厚度为约10纳米~约1微米。

9.如上述任意权利要求所述的方法,其中待赋予至高分子材料的纹理包括蛾眼结构。

10.如上述任意权利要求所述的方法,其中该高分子材料是透明的。

11.如权利要求10所述的方法,其中该高分子材料包括从由丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸酯树脂、聚烯烃树脂、热塑性聚酯树脂、聚酰胺树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚醚砜树脂、聚砜树脂、纤维素树脂、氯乙烯树脂、聚醚醚酮树脂及聚氨酯树脂所构成群组中选出的材料。

12.如上述任意权利要求所述的方法,其中该具有纹理的透明导电性薄膜的表面电阻系数为约100~约600Ω/sq。

13.如权利要求12所述的方法,其中该具有纹理的透明导电性薄膜的表面电阻系数为约300和约500Ω/sq。

14.如权利要求1所述的方法,其中该具有纹理的透明导电性薄膜的可见光穿透率大于约90%。

15.如权利要求14所述的方法,其中该具有纹理的透明导电性薄膜的可见光穿透率大于约93%。

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