[发明专利]用于电子器件的化合物

说明书

技术领域

本发明涉及式(I)的化合物，涉及这种化合物在电子器件中的用途，并且涉及包含一种或多种式(I)化合物的电子器件。本发明还涉及式(I)化合物的制备，并且涉及包含一种或多种式(I)化合物的制剂。

背景技术

开发用于电子器件中的新型功能化合物，是当前大力研究的主题。在此处的目的是开发和考察迄今尚未用于电子器件中的化合物，并开发能够改进器件性能分布的化合物。

根据本发明，术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路（OIC）、有机场效应晶体管（OFET）、有机薄膜晶体管（OTFT）、有机发光晶体管（OLET）、有机太阳能电池（OSC）、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（OFQD）、有机发光电化学电池（OLEC）、有机激光二极管（O-laser）和有机电致发光器件（OLED）。

其中式(I)化合物可优选用作功能材料的有机电致发光器件（OLED）的结构是本领域普通技术人员所已知的，并且特别是描述于US4539507、US5151629、EP0676461和WO1998/27136中。

特别是考虑到广泛的商业用途，在有机电致发光器件的性能数据方面仍需要进一步改进。在这点上，特别重要的是有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压以及达到的色值。特别是在发蓝色光的电致发光器件的情况中，有可能在所述器件的寿命方面进行改进。此外，希望在电子器件中用作功能材料的化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度，以在未分解的情况下升华。

在这点上，需要用于电子器件中的可选的空穴传输材料。在根据现有技术的空穴传输材料的情况下，电压通常随着空穴传输层的层厚度的增加而升高。在实践中，通常希望空穴传输层的层厚度较大，但是这通常导致工作电压升高和性能数据劣化。在这点上，需要载荷子迁移率高的新型空穴传输材料，以使得可在工作电压仅轻微增大的情况下实现较厚的空穴传输层。

根据现有技术，在空穴传输层中或在空穴注入层中使用的空穴传输材料特别是如下的三芳基胺衍生物，其含有两个三芳基氨基基团。这些化合物通常来源于二芳基氨基取代的三苯胺（TPA型）、来源于二芳基氨基取代的联苯衍生物（TAD类型）或这些基础化合物的组合。此外，例如，利用被两个或四个二芳基氨基基团取代的螺二芴衍生物（例如根据EP676461的）。在这些化合物的情况下，无论是对于荧光OLED，还是对于磷光OLED，特别是在用于有机电致发光器件中时的效率、寿命和工作电压方面和在升华期间的热稳定性方面，都还需要改进。

此外，现有技术中已知将所谓星型胺用于OLED中。特别是在EP0611148中公开了优选将如下的星型胺用于空穴传输层中，该星型胺含有三个与共同的中心苯环键合的二芳基氨基基团，其中该中心苯环在剩余位置处未被取代。然而，这些化合物仅适合小范围地用作如下发光层中的空穴传输材料，该发光层包含发蓝色或绿色磷光的发光体化合物。

还需要在电子器件中使用的可选基质材料。特别地，需要用于磷光发光体的基质材料，其同时导致良好的效率、长的寿命和低的工作电压。特别地，基质材料的性质通常限制有机电致发光器件的寿命和效率。特别地，需要用于磷光发光体的对于其具有高的T₁能级（三重态能级）的基质材料。

根据现有技术，咔唑衍生物例如双(咔唑基)联苯通常用作基质材料。此外，酮（WO2004/093207），氧化膦，砜（WO2005/003253），三嗪化合物，例如三嗪基螺二芴（参见WO2005/053055和WO2010/015306），和金属络合物，例如BAlq或双[2-(2-苯并噻唑)酚]锌(II)，被用作磷光发光体的基质材料。然而，仍然需要用作磷光发光体的基质材料的可选化合物。特别地，需要如下的化合物，使用该化合物能够实现电子器件性能数据的改进。

发明内容

因此，本发明基于如下的技术目的，即，提供适合用于电子器件例如OLED中的化合物，并且该化合物特别是能够用作空穴传输材料和用作磷光发光体的基质材料。

作为本发明的一部分，此时已经发现，下文所示的式(I)化合物非常适合用于电子器件中，特别是用作空穴传输材料和用作磷光发光体的基质材料。这些化合物具有如下特征性的特性，即，三个芳基氨基基团或N杂环基团键合至共同的中心苯环。此外，所述化合物特征在于，它们在中心苯环的剩余三个位置处被取代。