[发明专利]用于制造太阳能电池的方法无效
| 申请号: | 201280019065.X | 申请日: | 2012-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN103620800A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
| 发明(设计)人: | C.迈尔;T.德罗斯特;Y.加森鲍尔;J.D.莫施纳;P.罗特 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.用于由第一导电类型的、具有前侧和背侧的半导体衬底、尤其n型或p型硅基半导体衬底来制造太阳能电池的方法,至少包括以下的方法步骤
A)构造多个从前侧延伸到背侧的通孔,
B)至少沿前侧通过掺杂源的掺杂物的扩散来生成导电类型与第一导电类型相反的层,
C)从前侧穿过通孔直至在背侧限制通孔的接触区域地生成导电连接,
其特征在于,
D)为了按照方法步骤C)来制造导电连接使用相对于半导体衬底构造出绝缘特性的材料。
2.用于制造MWT-PERC太阳能电池的方法,其中在该太阳能电池的衬底中的孔被贯通接触,并且在该太阳能电池的背侧上所具有的发射极区域在贯通接触部之外被完全去除,并且在背侧上涂覆电介质层,其中为了贯通接触采用相对于该衬底作用为不电气接触的膏体。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其特征在于,
作为相对于该半导体衬底具有绝缘作用的材料或膏体采用如下膏体,该膏体为了同时在与衬底相接触的区域中形成绝缘层的情况下构造出导电连接而经受高温处理。
4.根据至少权利要求1或2所述的方法,
其特征在于,
与第一导电类型相反的导电类型的、在背侧以及通孔上延伸的层通过晶片底侧与腐蚀溶液相接触而被湿化学腐蚀。
5.根据至少权利要求1或2所述的方法,
其特征在于,
作为具有相对于该半导体衬底绝缘的特性的材料采用通过热处理被硬化的膏体,其中所述硬化优选在1秒和20秒之间的持续时间上在衬底温度至少为700℃,优选700℃-900℃,尤其750℃至850℃的情况下,在氮气或氮-氧气氛中来执行。
6.根据至少权利要求1或2所述的方法,
其特征在于,
作为贯穿通孔的材料采用含有玻璃颗粒、银颗粒和有机材料的膏体。
7.根据至少权利要求6所述的方法,
其特征在于,
作为膏体采用如下一种,其中银颗粒的80%至100%由薄片组成,这些薄片具有利用激光衍射所确定的在1μm至20μm范围内的D90尺寸分布,优选在2μm至15μm范围内,并尤其在5μm和12μm之间的范围内。
8.根据至少权利要求6或7所述的方法,
其特征在于,
作为膏体采用了如下一种,其中玻璃颗粒具有利用激光衍射所确定的在0.5μm至20μm范围内的D90尺寸分布,优选在1μm和10μm之间的范围内,尤其在3μm和8μm之间的范围内。
9.根据权利要求6至8至少之一所述的方法,
其特征在于,
对于玻璃颗粒采用了如下玻璃,该玻璃是无铅的并具有在350℃和550℃之间范围内的玻璃软化温度,尤其在400℃和500℃之间的范围内。
10.根据至少权利要求6所述的方法,
其特征在于,
采用如下膏体,该膏体的固体份额在80%重量比和95%重量比之间的范围内,优选在84%重量比和90%重量比之间的范围内。
11.根据至少权利要求6所述的方法,
其特征在于,
采用如下膏体,该膏体的玻璃份额在1%重量比和15%重量比之间的范围内,优选在4%重量比和12%重量比之间的范围内,尤其在8%重量比和10%重量比之间的范围内。
12.根据权利要求1至11至少之一所制造的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





