[发明专利]太阳能电池元件及太阳能电池模块

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池元件及具有该太阳能电池元件的太阳能电池模块。

背景技术

在具有硅基板的太阳能电池元件中，为了减少少数载流子的复合而在硅基板的表面设置有钝化膜。作为该钝化膜，使用由氧化硅或氧化铝等构成的氧化膜、或由氮化硅膜等构成的氮化膜被作了研究(例如，参照日本特开2009-164544号公报)。

发明内容

发明要解决的课题

然而，在以往的太阳能电池元件中，存在有助于发电效率的改善不充分的情况。因此，期望与以往相比减少少数载流子的复合而更加提高输出特性的太阳能电池元件及具有该太阳能电池元件的太阳能电池模块。

用于解决课题的手段

在此，本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的特征在于，具有：p型半导体层位于最上方的多晶硅基板；配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。

进而，本发明的一方式涉及的太阳能电池模块的特征在于，具有上述太阳能电池元件。

发明效果

根据上述的太阳能电池元件及太阳能电池模块，能够提供一种开路电压高、输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。

附图说明

图1是从第一面侧观察的本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的俯视示意图。

图2是从第二面侧观察的本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的俯视示意图。

图3是表示本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的示意图，是在图1的A-A线剖切的剖视图。

图4是表示本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的示意图，是在图1的A-A线剖切的剖视图。

图5是表示本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的示意图，(a)、(b)分别是从第二面侧观察的本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的一例的俯视图。

图6是说明本发明的一方式涉及的太阳能电池模块的一例的示意图，(a)是太阳能电池模块的局部截面放大图，(b)是从第一面侧观察太阳能电池模块的俯视图。

图7是示意性地说明本发明的一方式涉及的太阳能电池模块的一例的局部截面放大图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一方式涉及的太阳能电池元件及具有该太阳能电池元件的太阳能电池模块进行详细说明。需要说明的是，在附图中，对具有相同的结构及功能的部分标注相同符号，且省略重复的说明。另外，附图是示意性表示的图，各结构的尺寸及位置关系等不一定正确。

<太阳能电池元件的基本结构>

在图1～图3中表示本发明的一方式涉及的太阳能电池元件10的整体或其一部分。如图1～图3所示那样，太阳能电池元件10具有作为光入射的受光面(图3的上表面)的第一面10a和相当于该第一面10a的背面的作为非受光面(图3的下表面)的第二面10b。另外，太阳能电池元件10具有板状的多晶硅基板的半导体基板1。

如图3所示那样，半导体基板1具有作为一导电型的半导体层的第一半导体层(p型半导体层)2和设置于该第一半导体层2的第一面侧10a侧的作为反向导电型的半导体层的第二半导体层3。并且，在第一半导体层2上配置有主要为非晶态物质的氧化铝层的钝化层8。

如此，太阳能电池元件10具有：第一半导体层2位于最上方的多晶硅基板的半导体基板1；配置于第一半导体层2上的、主要包括非晶质的氧化铝的钝化层8。

<太阳能电池元件的具体例>

下面，对本发明的一方式涉及的太阳能电池元件的具体例进行说明。如图3所示那样，在太阳能电池元件10中，在第一面10a侧的半导体基板1(第一半导体层2及第二半导体层3)上配置有防反射层5及第一电极6，在第一半导体层2的第二面10b侧配置有第三半导体层4及钝化层8，进而在它们之上配置有第二电极7。

如上述那样，半导体基板1为多晶硅基板，具有第一半导体层2和设置于该第一半导体层2的第一面10a侧的、与第一半导体层2相反的导电型的第二半导体层3。

如上述那样，作为第一半导体层2能够使用呈p型的多晶硅基板。第一半导体层2的厚度例如能够设为250μm以下，进一步设为150μm以下。第一半导体层2的形状并不特别限定，但从制法的观点出发，可以设为俯视四边形状。在使第一半导体层2呈p型的情况下，作为掺杂元素，例如能够使用硼或镓。