[发明专利]薄膜的制造方法和制造装置无效

专利信息
申请号: 201280009160.1 申请日: 2012-01-23
公开(公告)号: CN103392025A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 本田和义;冈崎祯之;末次大辅 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;H01M4/1395
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜的制造方法,包括:

在真空中在基板的第1主面上形成薄膜的工序;和

在所述薄膜形成工序之前,对所述基板的第2主面赋予基板冷却材料的工序,所述基板冷却材料能够利用在形成所述薄膜时对所述基板施加的热而蒸发。

2.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,所述基板冷却材料在所述薄膜形成工序实施前在所述第2主面上处于液相状态。

3.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,所述基板冷却材料,含有选自烃、油和高级醇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,还包括:沿着输送路径将所述基板从送出位置向回收位置输送的工序,所述输送路径被设定为所述基板在真空中的成膜区域通过,

实施所述赋予工序,使得在所述送出位置和所述成膜区域之间的所述输送路径上对所述基板赋予所述基板冷却材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜的制造方法,对在所述输送路径上移动中的所述基板,实施所述赋予工序和所述薄膜形成工序。

6.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,所述赋予工序包括在所述第2主面上蒸镀所述基板冷却材料的工序。

7.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,还包括:沿着输送路径将所述基板从送出位置向回收位置输送的工序,所述输送路径被设定为所述基板在真空中的成膜区域通过,

在所述成膜区域中,所述基板的所述第2主面与受热体相对,所述受热体能够从自所述基板的所述第2主面蒸发的所述基板冷却材料接受热。

8.根据权利要求7所述的薄膜的制造方法,所述受热体由冷却器冷却。

9.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,还包括:

沿着输送路径将所述基板从送出位置向回收位置输送的工序,所述输送路径被设定为所述基板在真空中的成膜区域通过;和

将在所述成膜区域蒸发的所述基板冷却材料在所述成膜区域回收的工序。

10.根据权利要求9所述的薄膜的制造方法,所述回收工序包括:通过排气口,将在所述成膜区域蒸发的所述基板冷却材料向真空外排出的工序,所述排气口设置在与在所述成膜区域滞留中的所述基板的所述第2主面相对的位置。

11.根据权利要求10所述的薄膜的制造方法,所述回收工序还包括:在从所述基板向所述排气口的路径上,将所述基板冷却材料利用等离子体分解的工序。

12.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,还包括:沿着输送路径将所述基板从送出位置向回收位置输送的工序,所述输送路径被设定为所述基板在真空中的成膜区域通过,

所述输送路径的一部分由配置在所述成膜区域的圆筒状罐形成,

所述薄膜形成工序包括:使所述薄膜的构成材料沉积在被所述圆筒状罐的外周面支持的所述基板上的工序。

13.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,还包括:在形成了所述薄膜之后,利用等离子体将残存在所述第2主面上的所述基板冷却材料分解的工序。

14.根据权利要求11所述的薄膜的制造方法,作为用于使所述等离子体产生的气体使用氧气。

15.根据权利要求13所述的薄膜的制造方法,作为用于使所述等离子体产生的气体使用氧气。

16.根据权利要求1所述的薄膜的制造方法,所述基板为金属箔。

17.一种薄膜的制造装置,具备:

真空槽;

成膜源,其配置在所述真空槽内,用于在所述真空槽内的成膜区域在基板的第1主面上形成薄膜;

输送系统,其配置在所述真空槽内,沿着输送路径将所述基板从送出位置向回收位置输送,所述输送路径被设定为所述基板在所述成膜区域通过;和

涂布机,其对所述基板的第2主面赋予基板冷却材料,所述基板冷却材料能够利用在形成所述薄膜时对所述基板施加的热而蒸发。

18.根据权利要求17所述的薄膜的制造装置,在所述输送路径上设定了所述涂布机的位置,使得在所述送出位置和所述成膜区域之间的所述输送路径上所述基板冷却材料被赋予到所述基板的所述第2主面上。

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