[发明专利]反射全息存储方法有效

专利信息
申请号: 201280009105.2 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103370659A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 安德鲁·A·伯恩斯;马克·A·谢弗顿;苏密特·贾殷;金苏拉 申请(专利权)人: 沙特基础创新塑料IP私人有限责任公司
主分类号: G03H1/02 分类号: G03H1/02;G03H1/04
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 荷兰贝尔根*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 反射 全息 存储 方法
【权利要求书】:

1.一种用于记录通过波长为Wv的光照射时可见的体反射全息图像的方法,包括:

设置第一透明折射介质,以与折射率为n的透明全息记录介质的第一表面光耦接,所述全息记录介质对以不同于Wv的波长W提供的外部光光敏感;以及

将所述全息记录介质暴露于信号相干光源和参考相干光源,所述信号相干光源包括将被记录在所述全息记录介质中的图像或其他信息,所述信号相干光源和所述参考相干光源发出波长为W的光并通过所述全息记录介质的相对表面进入所述全息记录介质,其中,所述信号相干光源或所述参考相干光源在以大于arcsin(1/n)的入射内角进入所述全息记录介质之前穿过所述第一透明折射介质。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所记录的体反射全息图像在被波长为Wv的光以入射角Rv照射时在入射角Sv处是可见的,且其中,所述信号相干光源和所述参考相干光源在所述全息记录介质内产生参考光源的Φ入射角和信号光源的θ入射角,其中Φ和θ中的一个或两者必须大于arcsin(1/n)以满足等式:

cos(Φ+θ2)=Wcos(arcsin(sinRvn)+arcsin(sinSvn)2)Wv]]>

Φ-θ=arcsin(sinRvn)-arcsin(sinSvn),]]>

其中,0≤Φ+θ≤180°;

其中,所述信号光源和所述参考光源无论哪一个都要求从与全息介质光耦接且折射率为nr的所述透明折射介质进入所述全息记录介质的所述全息记录介质内的入射角大于arcsin(n),使得所要求的入射内角小于arcsin(n/nr)。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,Φ必须大于arcsin(1/n)。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其中,θ必须大于arcsin(1/n)。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中,所述信号相干光源在进入所述全息记录介质之前穿过所述第一透明折射介质。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中,所述参考相干光源在进入所述全息记录介质之前穿过所述第一透明折射介质。

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