[发明专利]放电表面处理装置及放电表面处理方法有效
申请号: | 201280003219.6 | 申请日: | 2012-06-26 |
公开(公告)号: | CN103620089A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 中野善和;后藤昭弘 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 表面 处理 装置 方法 | ||
1.一种放电表面处理装置,其通过使放电表面处理用电极与被处理材料的间隙即极间发生脉冲状的放电,从而将电极材料供给至所述被处理材料的表面,形成所述电极材料的覆膜,
该放电表面处理装置的特征在于,具有:
开关元件,其用于允许/停止从电源向所述极间施加电压;
电容元件,其在所述开关元件与所述极间之间,相对于所述开关元件而与所述极间并联连接;
电感元件,其串联连接在所述开关元件及所述电容元件与所述极间之间;以及
控制部,其具有周期性地进行接通/断开的功能,以能够将由于在所述极间发生的放电的电流变化而在所述电感元件上产生的感应电动势,作为引起下一次放电的电压使用。
2.根据权利要求1所述的放电表面处理装置,其特征在于,
所述控制部利用所述电感元件的感应电动势,在所述开关元件断开时发生放电。
3.根据权利要求1所述的放电表面处理装置,其特征在于,
所述电感元件的电感值大于或等于50μH且小于或等于2mH。
4.根据权利要求1所述的放电表面处理装置,其特征在于,
所述开关元件由以宽带隙半导体为主要成分的材料形成。
5.根据权利要求4所述的放电表面处理装置,其特征在于,
所述宽带隙半导体是使用碳化硅、氮化镓类材料或金刚石形成的半导体。
6.一种放电表面处理方法,其通过使放电表面处理用电极与被处理材料的间隙即极间发生脉冲状的放电,从而将电极材料供给至所述被处理材料的表面,形成所述电极材料的覆膜,
该放电表面处理方法的特征在于,
所述放电表面处理装置具有:
开关元件,其用于允许/停止从电源向所述极间施加电压;
电容元件,其在所述开关元件与所述极间之间,相对于所述开关元件与所述极间并联连接;
电感元件,其串联连接在所述开关元件及所述电容元件与所述极间之间,
所述放电表面处理方法包含以下工序:使所述开关元件周期性地接通/断开,以利用由于在所述极间发生的放电的电流变化而在所述电感元件上产生的感应电动势引起下一次放电。
7.根据权利要求6所述的放电表面处理方法,其特征在于,
使所述开关元件周期性地接通/断开的工序,包含利用所述电感元件的感应电动势,在所述开关元件断开时发生放电的工序。
8.根据权利要求6所述的放电表面处理方法,其特征在于,
所述电感元件的电感值大于或等于50μH且小于或等于2mH。
9.根据权利要求6所述的放电表面处理方法,其特征在于,
所述开关元件由以宽带隙半导体为主要成分的材料形成。
10.根据权利要求6所述的放电表面处理方法,其特征在于,
所述宽带隙半导体是使用碳化硅、氮化镓类材料或金刚石形成的半导体。
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