[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220745769.2 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN202995201U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 张家祥;郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域,如薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,TFT-LCD)技术领域,对于各种功能图案之间的间距的要求非常严格,相应地对间距的监控也是非常重要。

这是因为,各种功能膜层都是通过对一整层膜层进行图形化工艺制作出来的。例如,基板显示区域呈矩阵排列的像素电极是通过对预先设置在基板上的金属膜层或金属氧化物膜层进行图形化工艺制作而成,一般的像素电极占据像素区域的绝大部分,也就是说,相邻两个像素电极之间的距离很近,约5μm左右。一旦像素电极之间的距离小于或大于5μm,很有可能引起各种不良现象,如当像素电极之间的距离低于5μm,很有可能使得像素电极之间发生短路,引起信号的串扰,导致显示装置工作异常。因此,制作出像素电极之间的间距准确的显示装置至关重要。因此,在制作过程中对间距的监控也非常重要。

目前,在制作像素电极的过程中,通过关键尺寸(Critical Dimension,CD)测试机(也称CD测试机)对像素电极之间的间距进行监控,由于CD测试机对显示区域的像素电极之间的间距难以准确检测,一般是通过在阵列基板外围区域设置与像素电极结构相同的多个电极,例如可以设置8x8的电极,该检测电极和像素电极在同一次制作工艺中完成,且制作的像素电极的大小、形状都相同,该电极可以称为检测电极;通过检测外围区域的检测电极之间的间距,来反映显示区域像素电极之间的间距。

只有外围区域的检测电极之间的间距等于像素电极之间的间距,才能保证对像素电极之间的间距检测的准确性。

现有技术,在形成像素电极的过程中形成外围区域的检测电极,也就是说像素电极的厚度等于检测电极的厚度,在形成检测电极之前还包括形成位于基板上的反射金属层。该反射金属层的光线反射率较高,使得CD检测机检测出较清晰的图像,得到较准确的检测电极之间的间距。

如图1为现有技术像素电极区域的阵列基板剖面图。阵列基板包括:基板10、位于基板10上的栅极绝缘层20,以及位于栅极绝缘层20上的钝化保护层30,位于钝化保护层30上的像素电极40。

图2为现有技术检测电极区域的阵列基板剖面图。阵列基板包括:基板10、位于基板10上的反射金属层50,以及位于反射金属层50上的栅极绝缘层20,位于栅极绝缘层20上的钝化保护层30,位于钝化保护层30上的检测电极60。

由图1和图2可知,像素电极40与基板10之间的距离小于检测电极60与基板10之间的距离。这样会使得在制作像素电极和检测电极的过程中,因曝光机与待形成像素电极的区域之间的距离不等于与待形成检测电极的区域之间的距离,导致形成的间距不相同,也就导致CD检测机测出的检测电极之间的间距无法准确反映像素电极之间的间距。当像素电极之间的间距已经不正常的情况下,检测出像素电极的间距正常而导致批量生产出工作异常的显示装置。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置,用以实现准确测量像素电极之间间距。

本实用新型实施例提供一种阵列基板包括:基板、形成在基板显示区域呈矩阵排列的像素电极,以及形成在基板外围区域的与所述像素电极结构相同的,用于检测相邻像素电极之间间距的多个检测电极;该检测电极下方设置有反射金属层;所述像素电极与所述基板之间的距离等于检测电极与所述基板之间的距离。

较佳地,还包括:位于基板与像素电极之间的栅极绝缘层,位于栅极绝缘层与像素电极之间的钝化保护层;所述检测电极的厚度等于像素电极的厚度,所述反射金属层的厚度等于所述栅极绝缘层和钝化保护层厚度之和。

较佳地,还包括:位于基板与像素电极之间的栅极绝缘层,位于栅极绝缘层与像素电极之间的钝化保护层;以及位于基板与检测电极之间的绝缘层;所述检测电极的厚度等于像素电极的厚度,所述反射金属层和绝缘层的厚度之和等于所述栅极绝缘层和钝化保护层厚度之和。

较佳地,所述绝缘层位于所述反射金属层之上,该绝缘层与所述钝化保护层同层设置。

较佳地,所述绝缘层位于所述反射金属层之下,该绝缘层与所述栅极保护层同层设置。

较佳地,反射金属层的厚度等于栅极绝缘层的厚度,所述绝缘层的厚度等于所述钝化保护层的厚度。

较佳地,所述绝缘层的厚度等于所述栅极绝缘层的厚度,所述反射金属层的厚度等于所述钝化保护层的厚度。

较佳地,还包括位于栅极绝缘层下方的栅极扫描线,所述反射金属层与所述栅极扫描线同层设置。

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