[实用新型]一种静电电能储存装置有效
申请号: | 201220736201.4 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN203150391U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 白金;冯刚 | 申请(专利权)人: | 白金;冯刚 |
主分类号: | H01G4/06 | 分类号: | H01G4/06;H01G4/12;H01G4/005;H01G4/38 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 450000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 电能 储存 装置 | ||
1.一种静电电能储存装置,其特征在于:包括至少一个静电电能储存单元,所述静电电能储存单元包括构成电容的两个金属薄膜电极、附着在金属薄膜电极内侧的复合纳米绝缘薄膜层、以及复合纳米绝缘薄膜层之间的一陶瓷纳米晶薄膜层。
2.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述静电电能储存单元之间通过金属纳米粉集流体并联。
3.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述金属薄膜电极的材质为镍、铜、锌、锡、银及其合金的一种。
4.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述金属薄膜电极的厚度为1.0~15微米。
5.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述的复合纳米绝缘薄膜层的材质采用粒径小于50纳米、击穿电压为106~107V/cm数量级的有机纳米绝缘材料、或无机纳米绝缘材料、或有机/无机杂化纳米绝缘材料。
6.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述的复合纳米绝缘薄膜层的厚度为0.1~0.5微米。
7.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述的陶瓷纳米晶薄膜层采用铁电体、或非铁电体的陶瓷纳米晶材料。
8.如权利要求1所述的静电电能储存装置,其特征在于:所述的陶瓷纳米晶薄膜层的厚度为1微米~20微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于白金;冯刚,未经白金;冯刚许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220736201.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。