[实用新型]一种AMOLED像素驱动电路及其电容器结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及AMOLED显示技术领域，具体涉及一种AMOLED像素驱动电路和所述像素驱动电路的电容器结构。

背景技术

基于P型TFT构成的传统2T1C像素驱动电路如图1所示：图中，M1为开关晶体管，用于控制数据线Vdata输入；M2为驱动晶体管，用于控制OLED的发光电流；Cs为存储电容器，用于为驱动晶体管M2的栅极提供偏置及维持电压。

上述的2T1C像素驱动电路在单帧时间内包括两个工作时段，如图2所示：第一时段为数据线Vdata写入时段t1，在该时段内，行扫描线Vscan为低电平，此时开关晶体管M1导通，数据线Vdata经过开关晶体管M1漏源极之间的通道写入到存储电容器Cs上，并同时作用于驱动晶体管M2的栅极，M2导通，驱动发光像素单元OLED发光；第二时段为显示维持时段t2，在该时段内，行扫描线Vscan为高电平，开关晶体管M1处于截止状态，其漏源极之间的通道被关断，数据线Vdata与存储电容器Cs（驱动晶体管M2的栅极）之间的通道被关断。此时，在要求不严格的情况下可以认为存储电容器Cs因开关晶体管M1关断而没有电荷的泄放通路，只能保持开关晶体管M1截止前的状态，Cs两端电压维持不变，M2导通并维持发光像素单元OLED发光，直到下一帧周期的行扫描线Vscan到来，开关晶体管M1再次被选通。

但在实际工程应用中，因开关晶体管M1本身存在电荷注入效应和漏电流，考虑这种实际情况后Cs两端的电压即驱动晶体管M2的栅极电位将在开关晶体管M1关断后因为M1电荷注入效应和漏电流的影响而随着时间的推移而变化，加上驱动晶体管M2的IV曲线（电流-电压关系曲线）以及发光像素单元OLED的IVL曲线（电流-电压-亮度关系曲线）的非线性特性的影响，相应像素单元的OLED亮度会在上述帧周期内有所变化，进而容易导致显示图像畸变。具体表现为，开关晶体管M1关断后，开关晶体管M1电荷注入效应会导致已写入的数据信号（存储电容器Cs两端的电压）跃变，如图3所示，电压（voltage）在时间（time）0m（S）与20m(S)之间由B点的Y2=2.5431(V)跌落至C点的Y3=2.4079（V），跌落电压dY2=-135.8mv。这种变化将作用于驱动晶体管M2的栅极并进一步影响发光像素单元OLED的发光电流变化，导致图像畸变；如图4所示，电压（voltage）在时间（time）30u（S）与35u(S)之间由A点的Y1=2.5(V)跃变至B点的Y2=2.5437(V)，跃变电压dY1=43.7mv；开关晶体管M1的漏电流会导致已写入的数据信号（存储电容器Cs两端的电压）跌落。所以在像素驱动电路中要求尽可能减小或消除开关晶体管M1的电荷注入效应及漏电流导致的存储电容器Cs两端的电压变化。

传统的一种做法是增大现有的2T1C像素电路的存储电容器Cs的电容值。通过增大电容值可以有效降低开关晶体管M1电荷注入效应及漏电流的影响，但是增大电容值需要在OLED像素单元区域增大电容Cs极板面积，从的OLED像素单元结构可以看出存储电容器Cs与OLED发光区域并列分布于像素区域，增大存储电容器Cs势必影响到面板开口率。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了减小AMOLED面板因开关晶体管M1的电荷注入效应及漏电流导致的存储电容器Cs两端电压变化所引起的显示图像畸变的影响，同时不降低像素开口率，提出了一种AMOLED像素驱动电路及其电容结构。

本实用新型的技术方案是：一种AMOLED像素驱动电路，包括：

开关晶体管M1，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与数据线Vdata和行扫描线Vscan相连接；

驱动晶体管M2，包括两个输入端和一个输出端，所述两个输入端分别与电源线正极Vdd和开关晶体管M1的输出端相连接，所述输出端与有机发光二极管D1的阳极相连接，所述有机发光二极管D1的阴极与电源线负极Vss相连接；

存储电容器Cs，包括两个电极，其中一电极与电源线正极Vdd相连接，另一电极与开关晶体管M1和驱动晶体管M2的公共端相连接；

其特征在于，还包括，

存储电容器Cs1，包括两个电极，其中一电极与电源线负极Vss相连接，另一电极与开关晶体管M1、驱动晶体管M2和存储电容器Cs的公共端相连接。

一种AMOLED像素驱动电路的存储电容器结构，其特征在于：

包括层叠分布的三个电极板，其中分别位于上层和下层的两个电极板分别与中间层的电极板形成第一存储电容器Cs和第二存储电容器Cs1。