[实用新型]主动式有机发光二极管显示屏像素驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，涉及主动式有机发光二极管（AMOLED）显示屏像素驱动技术。

背景技术

像素驱动电路的驱动电流大小决定了像素发光亮度高低。传统的2T1C（双管单电容）像素驱动电路如图1所示以PMOS型TFT（P型场效应薄膜晶体管，简称晶体管）为例，其流过晶体管M2的驱动电流大小为与电源电压V_dd和晶体管M2的阈值电压V_th有关。其中，μ为晶体管M2的载流子迁移率、C_OX为晶体管M2的栅绝缘层单位面积电容、W/L为晶体管M2的沟道宽长比。而在工程应用中，不同像素驱动管（即晶体管M2）的阈值电压存在不一致的情况，并且同一像素驱动管的阈值电压随着使用时间的推移会发生漂移现象，同时导线阻抗会导致面板不同位置的电源电压有差异。电源电压和阈值电压的空间非一致性以及随时间的漂移会影响像素驱动电路驱动电流的大小，最终导致面板亮度不均匀及变化。

对于上述问题，现有的解决方案如图2所示，这是一种4T2C（四管双电容）结构的像素驱动电路，相关信号时序如图3所示，该时序图将单帧周期被分为七个时段，定义了像素信号Data、第一控制信号AZ、第二控制信号AZB、选通信号Select之间的时序关系。其工作原理如下：

P1时段，提供一个固定高电平做参考电平。此时，晶体管M3截止，晶体管M1、M4导通。电容C1左端电压为高电平数据信号Data（设为V1），Data的变化导致A点电压随之变化（升高），晶体管M2漏源电流减小，B点电压降低。

P2时段，泄放A点电荷确保晶体管M2工作在导通状态。此时，晶体管M3导通，其他状态不变。A点电压通过晶体管M3、M4泄放直到与B点电压相等。稳定时流过晶体管M2的电流与流过晶体管M4以及OLED的电流相等，晶体管M3虽导通但无电流流过。

P3时段，对A点充电提取晶体管M2的阈值电压。此时，晶体管M4截止，晶体管M1、M2、M3导通。Vdd通过晶体管M2对A点充电，充电电流逐渐减小至零，达到稳定状态时电容C2两端的电压即为M2管导通与截止之间临界电压——阈值电压V_th2。

P4时段，将晶体管M2的阈值电压存储在电容C2上使其保持不变。此时，晶体管M3、M4截止，晶体管M1导通，晶体管M2处于临界状态，电路中没有电流流过，M2的阈值电压存储到电容C2上。此时电容C2上存储的电荷为Q_C21=-C₂V_th2，电容C1上存储的电荷为Q_C11=C₁(V₁-V_dd-V_th2)。