[实用新型]一种逆变焊机IGBT模块保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种IGBT逆变焊机，尤其是涉及一种逆变焊机IGBT模块保护电路。 

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 

在现有IGBT逆变式焊机中，驱动电路与IGBT控制极连接采用方法有如下方式：

1．驱动电路出线至IGBT模块栅极处采用插片插接。

2．驱动电路出线处采用接插座插接，IGBT模块栅极处采用焊接。

采用上述方式连接的电路，当在安装过程中，或维修更换驱动电路板时，由于要将驱动线拔出，从而导至IGBT栅极处于悬空状态，极易受静电击穿，损坏IGBT。同时，即使在正常使用过程中，由于电气干扰等原因，也容易对IGBT栅极造成干扰击穿。 

发明内容

本实用新型的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种逆变焊机IGBT模块保护电路，解决了IGBT模块易受静电干扰而损坏的问题。 

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

一种逆变焊机IGBT模块保护电路，连接在驱动电路和IGBT模块之间，其特征在于，该保护电路包括第一稳压二极管和第二稳压二极管，所述的驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连，所述的第一稳压二极管的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管的阴极连接第二稳压二极管的阴极，第二稳压二极管的阳极连接驱动电路的负极。

优选的，所述的第一稳压二极管和第二稳压二极管均为16V的稳压二极管。

优选的，所述的保护电路还包括保护电阻，该保护电阻连接在IGBT模块的栅极和源极之间。

优选的，所述的保护电阻的阻值为5kΩ~15kΩ。

优选的，所述的保护电阻的阻值为10 kΩ。 

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

1、对于IGBT容易受静电干扰击穿问题，而增加IGBT模块保护电路，解决了IGBT模块易受静电干扰而损坏的问题。

2、第一稳压二极管Z1和第二稳压二极管Z2为16V稳压二极管，将IGBT栅极驱动信号限制在16.7V以内，有效防止IGBT输入信号过高而损坏。

3、保护电阻，栅极和源极之间，有效防止驱动电路出线插头拔出而造成IGBT栅极悬空而受静电干扰，可以有效将IGBT处于关断状态。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构示意图；

图2为本实用新型的焊接结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

实施例1

如图1所示，一种逆变焊机IGBT模块保护电路，连接在驱动电路1和IGBT模块2之间。该保护电路包括第一稳压二极管Z1和第二稳压二极管Z2，驱动电路的正、负电极分别与IGBT模块的栅极、源极相连。第一稳压二极管Z1的阳极连接驱动电路正极，第一稳压二极管Z1的阴极连接第二稳压二极管Z2的阴极，第二稳压二极管Z2的阳极连接驱动电路的负极。第一稳压二极管Z1和第二稳压二极管Z2均为16V的稳压二极管，将IGBT栅极驱动信号限制在16.7V以内，有效防止IGBT输入信号过高而损坏。

保护电路还包括保护电阻R，该保护电阻R连接在IGBT模块2的栅极和源极之间。保护电阻的阻值为10 kΩ，可有效防止驱动电路出线插头拔出而造成IGBT栅极悬空而受静电干扰，可以有效将IGBT处于关断状态。

如图2所示，在IGBT栅极处增加保护电路，对IGBT易受静电干扰而损坏进行抗干扰处理与防静电击穿处理。具体为在将电子元件焊接于IGBT模块保护板上，然后将IGBT模块保护板焊接于IGBT栅极与源极上。使用IGBT模块保护电路后，既使在操作过程中拔出IGBT驱动板上连接或有用手接触到IGBT栅极，也不会对IGBT造成损坏。按图2所示，将IGBT保护板焊接于IGBT模块栅极与源极上，由于IGBT模块由2只IGBT管组合而成，故同时保护两组IGBT管。

实施例1 

保护电阻的阻值为5kΩ，其余部分与实施例1相同。

实施例2

保护电阻的阻值为15kΩ，其余部分与实施例1相同。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，应当指出的是，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。