[实用新型]光学组件及光伏器件有效
申请号: | 201220653796.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN202948938U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 谷鋆鑫 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郎晓虹;李春晖 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 组件 器件 | ||
技术领域
本实用新型一般涉及光学材料领域,并且具体涉及光学组件及光伏器件。
背景技术
光在传播时,在不同的介质的分界面上通常会有一部分改变传播方向而返回原来介质中,这被称为光的反射。通常,不同介质之间折射率的差异越大,光在该分界面处的反射越强。
在光伏器件、显示器等产品中,如何减少光的反射一直是研究的热点。本领域技术人员研究发现,对于光从空气投射至基底的情形,可以在基底上形成一层抗反射膜,在所述抗反射膜的折射率为空气折射率与基底折射率乘积的平方根时(即满足折射率匹配的条件),且所述抗反射膜厚度为波长厚度的四分之一时(即满足厚度匹配的条件),所述抗反射膜对该波长光能起到良好的减少反射作用。常用的抗反射膜包括,例如,蛾眼结构抗反射膜、多孔氧化硅膜、高折射率和低折射率材料交替的多层抗反射膜等。
然而,这些抗反射膜通常不具备抗沾污等性能,为了使光伏器件、显示器等产品表面具有抗沾污等性能,需要在抗反射膜上额外施加一层涂层,例如低表面能涂层。由此带来的一个潜在的问题是,该涂层可能会降低抗反射效果。
实用新型内容
针对背景技术中提到的问题,获得一种具备抗沾污性能的抗反射膜将是有利的。此外,在已有的抗反射膜上增加一层大体上不会引起抗反射效果劣化的抗沾污层也将是有利的。
根据本实用新型的一个方面,提供一种光学组件,包括:基底;第一抗反射层,包括颗粒阵列以及填充介质;以及第二抗反射层,位于所述基底与所述第一抗反射层之间,其中,所述填充介质至少部分地填充所述颗粒阵列的多个颗粒之间的空隙,所述第二抗反射层是多孔氧化硅膜层。
本实用新型的发明人发现,这样结构的第一抗反射层同时具备抗反射和抗沾污性能。
在一个实施例中,所述第二抗反射层包括多个二氧化硅球体,所述多个二氧化硅球体之间存在孔隙。所述多个二氧化硅球体的直径可以是,例如,10nm至20nm。
在又一个实施例中,所述多个颗粒是直径为80nm至250nm的球体。
在又一个实施例中,所述填充介质是多个纳米粒子。
所述多个颗粒以及所述多个纳米粒子可以是二氧化硅球体、二氧化钛球体、氧化铝球体或者氧化锆球体中的一种或多种。
所述多个纳米粒子可以是直径为7nm至12nm的二氧化硅球体,所述多个颗粒可以是直径为80nm至250nm的二氧化硅球体。
在又一个实施例中,所述填充介质填充所述多个颗粒之间的空隙的至少90%。
所述多个颗粒与所述填充介质可以是一体的。
根据本实用新型的另一个方面,提供一种光伏器件,包括:根据本实用新型的光学组件,所述光学组件的基底是透明的;以及太阳能电池,位于所述基底的未设置所述第一抗反射层的一侧。
上文已经概括而非宽泛地给出了本公开内容的特征。本公开内容的附加特征将在此后描述,其形成了本实用新型权利要求的主题。本领域技术人员应当理解,可以容易地使用所公开的构思和具体实施方式,作为修改和设计其他结构或者过程的基础,以便执行与本实用新型相同的目的。本领域技术人员还应当理解,这些等同结构没有脱离所附权利要求书中记载的本实用新型的主旨和范围。
附图说明
为了更完整地理解本公开以及其优点,现在结合附图参考以下描述,其中:
图1示出了根据本实用新型的光学组件的一个实施例100;
图2示出了根据本实用新型的光学组件的又一个实施例200;
图3示出了根据本实用新型的光学组件的又一个实施例300;
图4示出了根据本实用新型的光学组件的又一个实施例400;
图5示出了根据本实用新型的光学组件的又一个实施例500;
图6示出了根据本实用新型的方法的一个实施例;
图7示出了根据本实用新型的方法的又一个实施例;
图8示出了图7的方法的步骤S300的一个实施例;
图9示出了图6或图7的方法的步骤S200的一个实施例;
图10示出了图6或图7的方法的步骤S200的又一个实施例;
图11示出了一个示例性光学组件100的透射光谱;以及
图12示出了一个示例性光学组件200的透射光谱,
除非指明,否则不同附图中的相应标记和符号一般表示相应的部分。绘制附图是为了清晰地示出本公开内容的实施方式的有关方面,而未必是按照比例绘制的。为了更为清晰地示出某些实施方式,在附图标记之后可能跟随有字母,其指示相同结构、材料或者过程步骤的变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的