[实用新型]太阳能电池模组有效
申请号: | 201220609176.3 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN202996861U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 王政烈 | 申请(专利权)人: | 有成精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模组 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种电池模组,且特别是有关于一种太阳能电池模组。
背景技术
在石化能源短缺以及能源需求量与日俱增的情况下,再生能源(Renewable energy)的开发成为当今非常重要的课题之一。再生能源泛指永续且无污染的天然能源,例如太阳能、风能、水利能、潮汐能或是生质能等,其中,太阳能的利用更是近几年来在能源开发的研究上相当重要且受欢迎的一环。
太阳能电池是一种能量转换的光电元件(photovoltaic device),其通过太阳光的照射,将光的能量转换成电能。太阳能电池的种类包括单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜以及染料太阳能电池。以单晶硅太阳能电池为例,其是利用P型半导体当作基板,并且在基板中掺入五价的掺杂原子,例如是磷原子,以在P型基板中形成P-N接面。众所皆知地,P-N接面具有一个内建电位,并且可以在接面处产生空乏区。当太阳光照在此具有P-N接面的P型基板上时,光子所提供的能量会把半导体中的电子激发出来,而产生电子-空穴对。电子与空穴均会受到内建电位的影响,其中空穴会往电场的方向移动,而电子则往相反的方向移动。此时,用导线将负载(load)与太阳能电池的电极连接起来,就会有电流流过负载,这就是太阳能电池发电的原理,又称为光伏效应(photovoltaic effect)。
由于太阳能电池不会产生污染,并且也不耗费地球资源。因此,太阳能电池日益地受众人瞩目与关切,而使得众家厂商纷纷投入太阳能电池的市场。这样一来,若欲提升产品的竞争力,必须研发具有更佳发电效率的太阳能电池。
实用新型内容
本实用新型提供一种太阳能电池模组,其具有良好的发电效率。
本实用新型提出一种太阳能电池模组,其包括太阳能电池元件、第一封装膜、盖板、热辐射材料层或是具有热辐射材料的封装膜以及底板。太阳能电池元件包括第一电极层、光电转换层、第二电极层以及多个金属电极。第一电极层与第二电极层分别位于光电转换层相对的第一表面与第二表面上。金属电极位于第二表面上且与第二电极层电性连接。第一封装膜位于第一表面上且覆盖光电转换层,其中第一电极层位于第一封装膜与光电转换层之间。第一封装膜位于太阳能电池元件与盖板之间。热辐射材料层或是具有热辐射材料的封装膜位于第二表面上且覆盖部分的第二电极层。热辐射材料层至少曝露出金属电极。热辐射材料层或是具有热辐射材料的封装膜位于太阳能电池元件与底板之间。
在本实用新型的一实施例中,前述的太阳能电池模组还包括位于热辐射材料层与底板之间的第二封装膜。。
在本实用新型的一实施例中,前述的光电转换层是由P型掺杂层及N型掺杂层堆叠形成的PN接面结构;由P型掺杂层、本质层、N型掺杂层堆叠形成的PIN接面结构;或由PN接面结构以及PIN接面结构重复排列的串叠结构。
在本实用新型的一实施例中,前述的热辐射材料层的厚度介于20微米至50微米之间。
在本实用新型的一实施例中,前述的热辐射材料或热辐射材料层包括碳化硅(SiC)微粒子。
基于上述,本实用新型通过在太阳能电池元件与底板之间提供热辐射材料层,或是在太阳能电池元件与底板之间提供具有热辐射材料的封装膜,来提升太阳能电池模组的热辐射率。这样,可有效地将太阳能电池元件的热排出太阳能电池模组外,并降低高温对于太阳能电池元件发电效率的干扰,进而使太阳能电池模组具有良好的发电效率。
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本实用新型一实施例的太阳能电池模组的剖面示意图;
图1B是图1A的仰视示意图;
图2是依照本实用新型另一实施例的太阳能电池模组的剖面示意图。
附图标记说明:
太阳能电池模组:100、200;
太阳能电池元件:110;
第一封装膜:120;
盖板:130;
热辐射材料层:140;
第二封装膜:150;
封装膜:150A;
底板:160;
第一电极层:10;
汇流电极:12;
光电转换层:20;
P型掺杂层:22;
N型掺杂层:24;
第二电极层:30;
多个金属电极:40;
厚度:D140;
空隙:G;
受光面:SA;
非受光面:SB;
第一表面:S1;
第二表面:S2;
第一方向:X;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的