[实用新型]一种薄膜型铂电阻温度传感器有效
申请号: | 201220598447.X | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN202994323U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 蓝镇立 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 铂电阻 温度传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜型铂电阻温度传感器。
背景技术
现有的铂电阻温度传感器,是用导电胶,如导电银胶、Pt浆料等,将铂薄膜电阻与引线连接起来,实现温度信号的测试。这种引线结构存在的缺点是,由于铂薄膜电阻与引线之间没有直接接触,而是通过导电胶实现两者的互连,在实际测试过程中会造成测试误差;此外,当导电胶固化不良或在烧结不完全残留有胶物质,会导致测试的不稳定,降低测试精度,影响测试结果。
发明内容
本实用新型的目的在于,针对现有技术的不足,提供一种薄膜型铂电阻温度传感器,温度测试稳定性好,测试精度高。
本实用新型的技术方案为,一种薄膜型铂电阻温度传感器,包括衬底和引线,所述衬底顶面设有过渡层,并在过渡层顶面一侧设有铂电阻,而在过渡层顶面的另一侧设有用于安装引线的引线安装部,所述铂电阻的顶面覆有保护层。
所述保护层和引线的顶面涂敷固定层。
所述引线通过压焊固定到引线安装部。
在已经过表面处理的传感器陶瓷衬底上沉积过渡层,接着在过渡层表面沉积铂电阻及其引线安装部,最后在铂薄膜电阻表面但不包括引线安装部沉积一层保护层,保护铂薄膜电阻。利用压焊方法,把引线压接在铂电阻的引线安装部,在压焊点处实现两者的直接互连,然后涂敷釉料固定层并烧结成型,对压焊点的连接进行加固和保护。
本实用新型经过上述改进,避免了导电胶连接不良时对测试的影响,以及导电胶烧结不完全造成的测试不稳定,使传感器的温度测试稳定性和精度得到提高。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图;
其中:
11-衬底;12-过渡层;13-铂电阻; 14-保护层;
15-引线安装部;16-压接点;17-引线;18-釉料固定层。
具体实施方式
如图1所示,一种薄膜型铂电阻温度传感器,包括衬底11和引线17,衬底11顶面设有过渡层12,并在过渡层12顶面一侧设有铂电阻13,而在过渡层12顶面的另一侧设有用于安装引线17的引线安装部15,所述铂电阻13的顶面覆有保护层14。
保护层14和引线17的顶面涂敷固定层18,引线17通过压焊固定到引线安装部15。
衬底11为Al2O3,保护层14为Al2O3或SiO2,过渡层12为Al2O3,固定层18为釉料。
在已经过表面处理的传感器陶瓷衬底11上沉积过渡层12,接着在过渡层12表面沉积铂薄膜电阻13及其引线安装部15,最后在铂薄膜电阻13表面沉积一层保护层14,保护铂薄膜电阻。利用压焊方法,把引线17压接在铂薄膜电阻13的引线安装部15,在压焊点16处实现两者的直接互连,然后涂敷釉料固定层18并烧结成型,对压焊点16的连接进行加固和保护。
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