[实用新型]一种薄膜型铂电阻温度传感器有效
| 申请号： | 201220598447.X | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN202994323U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 蓝镇立 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铂电阻 温度传感器 | ||
【权利要求书】：
1. 一种薄膜型铂电阻温度传感器，包括衬底（11）和引线（17），其特征是，所述衬底（11）顶面设有过渡层（12），并在过渡层（12）顶面一侧设有铂电阻（13），而在过渡层（12）顶面的另一侧设有用于安装引线（17）的引线安装部（15），所述铂电阻（13）的顶面覆有保护层（14）。
2.根据权利要求1所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，所述保护层（14）和引线（17）的顶面涂敷固定层（18）。
3.根据权利要求1所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，所述引线（17）通过压焊固定到引线安装部（15）。
4.根据权利要求1-3之一所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，所述衬底（11）为Al2O3。
5.根据权利要求1-3之一所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，保护层（14）为Al2O3或SiO2。
6.根据权利要求1-3之一所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，所述过渡层（12）为Al2O3。
7.根据权利要求2所述薄膜型铂电阻温度传感器，其特征是，所述固定层（18）为釉料。
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