[实用新型]一种阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

随着平板显示制造工艺和技术的成熟，双栅(Dual Gate)技术已越来越多的出现在新型产品上。然而，由于Dual Gate技术的阵列(array)基板是利用栅极线加倍，数据线减半的设计概念，因此会使得像素的充电时间因为栅极线加倍而减少了一半。充电时间的减少会造成像素充电不足，从而引发画面显示品质的不良。

此外，在现有的Dual Gate驱动方式中，由于上下两行像素间的电压极性不同，而且每个像素与其相邻像素的电压极性相反，因此，现有技术普遍采用公共电极(common)线电压不变，数据线电压变化的设计方案。这种设计使得在每一行像素扫描完成后，数据线都要迅速变化至相反极性。例如：在图1a-1d所示的Dual Gate结构的阵列基板中，横向实线表示栅极(Gate)线11，纵向实线表示数据(Data)线12；位于栅极线11和数据线12相交处的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)14，其栅极与栅极线11相连，源极与数据线12相连，漏极与像素电极13相连。在为第一行的栅极线11(如图1a中的箭头所示)充电时，数据线12的电压极性为正，本行充电完成后，像素电极13的电压极性如图1a所示；在为第二行的栅极线11(如图1b中的箭头所示)充电时，数据线12的电压极性变为负，本行充电完成后，像素电极13的电压极性如图1b所示；在为第三行的栅极线11(如图1c中的箭头所示)充电时，数据线12的电压极性变为正，本行充电完成后，像素电极13的电压极性如图1c所示；依此类推，整个充电过程结束后，像素电极13的电压极性如图1d所示，即上下两行像素间的电压极性都不相同，而且每个像素与其相邻像素的电压极性相反，图1a-1d中的“+”表示正极性，“-”表示负极性。

由此可以看出，现有的Dual Gate驱动方式使得在每一行像素扫描完成后，数据线都要迅速变化至相反极性，因此像素的实际充电时间更短，而且带来了更高的功耗。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有Dual Gate结构存在的像素充电不足，Dual Gate驱动方式造成像素的实际充电时间更短，功耗更高的问题。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型提供了一种阵列基板，包括：m行栅极线、n列数据线、薄膜晶体管TFT和m×n个像素电极，m、n为正整数；所述栅极线以成对的方式排列成栅极线对；每行所述像素电极位于所述栅极线对中的两条栅极线之间；所述TFT的栅极连接所述栅极线，源极连接所述数据线，漏极连接所述像素电极；

每条数据线分别逐行环绕各自对应的相邻两列的像素电极，每条数据线的环绕方式相同，且每条数据线在环绕每相邻两行的像素电极时的开口方向相反；每个TFT的源极分别与其在列方向上相邻的数据线相连，且相邻数据线的电压极性相反；在每一行像素电极中，奇数列像素电极连接相同的栅极线，偶数列像素电极连接相同的栅极线，且奇数列像素电极连接的栅极线与偶数列像素电极连接的栅极线不同。

较佳的，与所述数据线在列方向上相邻、且与其连接的像素电极的电压极性相同。

较佳的，每条数据线在环绕奇数行的像素电极时的开口方向向左，环绕偶数行的像素电极时的开口方向向右。

较佳的，每条数据线在环绕奇数行的像素电极时的开口方向向右，环绕偶数行的像素电极时的开口方向向左。

较佳的，所述每条数据线的环绕形状为弓形。

本实用新型还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。

本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

本实用新型所提供的一种阵列基板、显示面板和显示装置，其每条数据线分别逐行环绕各自对应的相邻两列的像素电极，每条数据线的环绕方式相同，且每条数据线在环绕每相邻两行的像素电极时的开口方向相反；每个TFT的源极分别与其在列方向上相邻的数据线相连，且相邻数据线的电压极性相反；在每一行像素电极中，奇数列像素电极和偶数列像素电极分别与与其相邻的栅线连接，奇数列像素电极连接相同的栅极线，偶数列像素电极连接相同的栅极线，且奇数列像素电极连接的栅极线与偶数列像素电极连接的栅极线不同。