[实用新型]太阳能电池片背面电极结构及具有该结构的太阳能电池片有效
申请号: | 201220586104.1 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN202957257U | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 蔡希松;胡琴;张飞;季九江;李望兵;张慧琴 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
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地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 背面 电极 结构 具有 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池电极结构,尤其涉及一种太阳能电池片背面电极结构及具有该结构的太阳能电池片。
背景技术
太阳能电池板是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中价值最高的部分。其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中储存起来,或推动负载工作。
太阳能电池板一般由太阳能电池片封装而成,而现有的太阳能电池片背面的电极主要呈连续的条状,比较浪费用于形成背面电极的印刷辅料银浆,成本高电池转换效率低,还不便于组件自动焊接的定位。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决现有技术中银浆消耗大、成本高、电池转换效率低、不便自动焊接的技术问题,本实用新型提供一种太阳能电池片背面电极结构及具有该结构的太阳能电池片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能电池片背面电极结构,包括硅片,所述硅片的背面设有三条平行的背面电极,每条背面电极之间的间距d1为52mm,每条背面电极由多段在同一直线上的分段电极组成。
进一步,优选的,所述的每条背面电极由5段在同一直线上的分段电极组 成。
进一步,具体地,所述的每个分段电极的整体长度为15.5~20.5mm,宽度为2~4mm。
进一步,具体地,所述的每个分段电极的边缘均匀分布有向外延生的触角。
进一步,具体地,所述的触角的长度为0.25~0.5mm,宽度为0.25~0.5mm,每个触角之间的间距d2为0.25~0.5mm。
进一步,优选的,所述的硅片为长度和宽度均为156mm的单晶硅片或多晶硅片。
一种太阳能电池片,所述的太阳能电池片的背面为上述的太阳能电池片背面电极结构。
本实用新型的有益效果是,本实用新型的太阳能电池片背面电极结构,将现有的太阳能电池片背面连续的条状的电极分成多个独立的分段电极,降低了生产过程中银浆的消耗,节约了成本,提高了电池转换效率低,满足了组件的焊接要求。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型最优实施例的结构示意图。
图2是图1中分段电极的放大示意图。
图中1、硅片,2、背面电极,2-1、分段电极,2-1-1、触角。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1、图2所示,是本实用新型实施例1,以156*156(单位mm)的单晶硅片1为例,所述硅片1的背面设有三条平行的背面电极2,每条背面电极2之间的间距d1为52mm,每条背面电极2由5段独立的在同一直线上的分段电极2-1组成,每个分段电极2-1的整体(包含小触角)长度为15.5mm,宽度为3mm,每个分段电极2-1的边缘均匀分布有向外延生的触角2-1-1,触角2-1-1的长度为0.5mm,宽度为0.25mm,每个触角2-1-1之间的间距d2为0.5mm。
一种太阳能电池片,所述的太阳能电池片的背面设有本实施例1中太阳能电池片的背面电极结构。
本实用新型实施例2,以156*156(单位mm)的单晶硅片1为例,所述硅片1的背面设有三条平行的背面电极2,每条背面电极2之间的间距d1为52mm,每条背面电极2由5段独立的在同一直线上的分段电极2-1组成,每个分段电极2-1的整体(包含小触角)长度为20mm,宽度为4mm,每个分段电极2-1的边缘均匀分布有向外延生的触角2-1-1,触角2-1-1的长度为0.25mm,宽度为0.5mm,每个触角2-1-1之间的间距d2为0.4mm。
一种太阳能电池片,所述的太阳能电池片的背面设有本实施例2中太阳能电池片的背面电极结构。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根 据权利要求范围来确定其技术性范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的