[实用新型]一种超细电子用氧化铌沉淀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种超细电子用氧化铌沉淀装置，属于设备制造领域。

背景技术

氧化铌是生产陶瓷电容器的基本材料，长期以来，其物性指标都是按市场通行标准平均粒径≦1μm来控制。现有的沉淀装置铌液、氨气都是由圆形塑料软管直接通入，没有圆形盘管，这样的装置，不利于粒度的控制，生产出的产品颗粒较大，一般D₅₀＞0.5μm。随着高科技材料的发展，要求陶瓷电容器容量更大，体积更小，介电常数更高，稳定性更好；陶瓷电容器中如果添加颗粒细、粒度分布均匀的特种超细氧化铌就能满足上述要求，在这种情况下，用户对氧化铌提出了更高要求。

实用新型内容

本实用新型为了克服以上缺陷而提供一种超细电子用氧化铌沉淀装置，有效地防止沉淀过程中，由于局部浓度过高而发生的晶体间相互接触聚合产生大颗粒的现象。

本实用新型为了实现上述目的而采取的技术方案，包括反应器，反应器上设有进料圆形盘管、进氨水管、出料口，并设有搅拌装置；反应器中间偏下位置设有进料圆形盘管，且朝上面开有若干小孔，进料圆形盘管的下方设有搅拌装置，进料圆形盘管上方设有氨水盘管分布器，氨水盘管分布器朝下开有若干小孔，氨水盘管分布器上设有一中空管与进氨水管相连。减速机固定在支架上，支架固定在操作平台上。所述的反应器为圆形容器，下为椭圆封头，上为平面盖板，其直径为0.5-1.5m，高度为0.6-2m。

所述的进料圆形盘管和氨水盘管分布器的管径均直径为15-25mm，且盘管上的孔的孔径为4-8 mm，孔间距为35-90 mm。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于，

   本实用新型具有稀释、均匀反应物的作用，有效地防止沉淀过程中，由于局部浓度过高而发生的晶体间相互接触聚合产生大颗粒的现象，用此沉淀装置生产的氧化铌D₅₀在0.3~0.45μm之间，产品具有颗粒细、粒度分布均匀的特性，能很好地满足用户的要求。

附图说明

   图1为本实用新型结构示意图。

图2为图1中进料圆形盘管的立体结构示意图。

图3为图1中进料圆形盘管的A向视图。

图4为图1中氨水盘管分布器的立体结构示意图。

图5为图1中氨水盘管分布器的B向视图。

具体实施方式

实施例，如图1、图2、图3、图4、图5所示，包括反应器7，反应器7上设有进料圆形盘管4、进氨水管2、出料口6，并设有搅拌装置5；反应器7中间偏下位置设有进料圆形盘管4，且朝上面开有若干小孔，进料圆形盘管4的下方设有搅拌装置5，进料圆形盘管4上方设有氨水盘管分布器3，氨水盘管分布器3朝下开有若干小孔，氨水盘管分布器3上设有一中空管与进氨水管2相连。减速机固定在支架上，支架固定在操作平台上。所述的反应器7为圆形容器，下为椭圆封头，上为平面盖板，其直径为0.5-1.5m，高度为0.6-2m。

所述的进料圆形盘管4和氨水盘管分布器3的管径均直径为15-25mm，且盘管上的孔8的孔径为4-8 mm，孔间距为35-90 mm。

配制好的铌液、氨水分别经过料液盘管分布器、氨水盘管分布器同时进入反应器中，启动搅拌，控制进料量到反应器的2/3处，反应最终PH值为9~10。沉淀生成的氢氧化铌，经调洗、烘干、煅烧、过筛等工序，最终制得D₅₀在0.3~0.45μm之间的超细电子用氧化铌。