[实用新型]一种超细电子用氧化铌沉淀装置有效
| 申请号： | 201220541871.0 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN202880924U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 匡国珍;余汤;戴和平 | 申请（专利权）人： | 九江有色金属冶炼有限公司 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 332014*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 氧化 沉淀 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种超细电子用氧化铌沉淀装置，其特征在于，包括反应器（7），反应器（7）上设有进料圆形盘管（4）、进氨水管（2）、出料口（6），并设有搅拌装置（5）；反应器（7）中间偏下位置设有进料圆形盘管（4），且朝上面开有若干小孔，进料圆形盘管（4）的下方设有搅拌装置（5），进料圆形盘管（4）上方设有氨水盘管分布器（3），氨水盘管分布器（3）朝下开有若干小孔，氨水盘管分布器（3）上设有一中空管与进氨水管（2）相连，减速机固定在支架上，支架固定在操作平台上。
2.根据权利要求1所述的一种超细电子用氧化铌沉淀装置，其特征在于，所述的进料圆形盘管（4）的管径和氨水盘管分布器（3）的管径均直径为15-25mm，且盘管上的孔（8）的孔径为4-8 mm，孔间距为35-90 mm。
3.根据权利要求1所述的一种超细电子用氧化铌沉淀装置，其特征在于，所述的反应器（7）为圆形容器，下为椭圆封头，上为平面盖板，其直径为0.5-1.5m，高度为0.6-2m。
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