[实用新型]除油装置以及研磨液搅拌装置有效

专利信息
申请号: 201220521264.8 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN202823221U 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 沈叶舟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B01F7/16 分类号: B01F7/16;B01F15/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 装置 以及 研磨 搅拌
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体生产领域,尤其涉及一种除油装置以及研磨液搅拌装置。

背景技术

随着半导体行业的发展,化学机械研磨(CMP)作为芯片加工中必不可少的一道工艺也面临着越来越高的挑战。在化学机械研磨的工艺中,将半导体晶片放置于研磨头上,并使晶圆表面朝下与研磨垫接触,在所述研磨垫和半导体晶片之间通入研磨液(Slurry),通过晶片表面和研磨垫之间的相对运动使得晶片表面平坦化。由于化学机械研磨工艺是同时利用机械方式与化学方式进行,因此必须考虑到很多复杂的工艺参数,例如目标薄膜层的特性、研磨液的成分、研磨垫的组成、平台转速等,其中,研磨液是化学机械研磨工艺中的一项关键的消耗品,在芯片化学机械研磨过程中起着非常重要的作用。

由上可知,研磨液品质将直接影响化学机械研磨对晶圆表面进行平坦化的好坏,因而,正常生产中不能有任何的杂质污染研磨液。请参考图1,在现有技术中,现有的研磨液搅拌装置包括研磨液缸1、搅拌棒2以及搅拌马达3,所述研磨液缸1设有一开口,研磨液是放置在研磨液缸1中,依靠搅拌马达3带动搅拌棒2对研磨液进行搅拌,保证其密度等均匀,用于正常生产。然而,搅拌马达3中带有一些油,例如润滑油等。在搅拌马达3长期的使用中,油渍将漏出并沿着搅拌棒2滴入研磨液缸1中的研磨液中,从而污染研磨液,若研磨液喷到晶圆表面则会污染晶圆并且损害晶圆。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种除油装置以及研磨液搅拌装置,以防止油渍污染研磨液。

为了实现上述目的,本实用新型提出一种除油装置,用于去除研磨液搅拌装置的油渍,所述研磨液搅拌装置包括:搅拌马达、搅拌棒以及研磨液缸,所述研磨液缸设有一开口;所述除油装置包括:第一遮挡盘、第二遮挡盘和油管,所述第一遮挡盘设有一第一开孔,所述第二遮挡盘设有一第二开孔;所述第二遮挡盘的尺寸大于所述第一遮挡盘的尺寸,所述搅拌棒穿过所述第一开孔和第二开孔伸入到所述研磨液缸,所述第一遮挡盘与所述搅拌棒连接并随所述搅拌棒转动,所述第二遮挡盘固定于所述研磨液缸的开口上,所述油管与所述第二遮挡盘连通。

进一步的,所述第一遮挡盘包括圆形的底壁以及与所述底壁外边缘连接的侧壁,所述第一开孔设置于所述底壁上。

进一步的,所述第一遮挡盘的侧壁高度范围为1cm~3cm,所述第一遮挡盘的底壁的直径范围为8cm~12cm。

进一步的,所述除油装置还包括设置于所述第一开孔内的密封圈,所述第一遮挡盘通过所述密封圈与所述搅拌棒密封连接。

进一步的,所述第二遮挡盘包括圆形的底壁、与所述底壁外边缘连接的外侧壁以及与所述底壁内边缘连接的内侧壁,所述第二开孔设置于所述底壁上。

进一步的,所述第二遮挡盘的底壁的直径大于所述第一遮挡盘的底壁的直径。

进一步的,所述第二遮挡盘的外侧壁及内侧壁的高度范围均为1cm~3cm,所述第二遮挡盘的底壁的直径范围为10cm~14cm。

进一步的,所述第二遮挡盘通过一螺丝与所述研磨液缸的开口固定连接。

进一步的,所述外侧壁上设有一排油孔,所述油管通过所述排油孔与所述第二遮挡盘连通。

进一步的,所述底壁上设有一排油孔,所述油管通过所述排油孔与所述第二遮挡盘连通。

进一步的,所述油管通过一便捷卡头固定于所述第二遮挡盘上。

本发明还提出了一种研磨液搅拌装置包括上述除油装置。

与现有技术相比,本实用新型的主要有益效果体现在:通过添加第一遮挡盘遮挡住搅拌马达泄露出的油渍,通过添加第二遮挡盘遮挡住研磨液缸的开口,并连接一油管排走第二遮挡盘的油渍,从而避免油渍落入研磨液缸中污染研磨液。

附图说明

图1为现有技术中研磨液搅拌装置的结构示意图;

图2为本实用新型一实施例的研磨液搅拌装置的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解,下面结合具体实施例对本实用新型进行更详细的描述。

请参考图2,本实施例中提出的除油装置,用于去除研磨液搅拌装置的油渍,所述研磨液搅拌装置包括:搅拌马达3、搅拌棒2以及研磨液缸1,所述研磨液缸1设有一开口。

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